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<p><img src="/images/stories/logos-2015/micron.jpg" alt="micron" style="margin: 10px; float: left;" />Micron hat die International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) genutzt, um einen neuen NAND-Speicher vorzustellen, der besonders durch seine Kapazität und Speicherdichte auffällig ist. In der Präsentation verteilt Micron auch fleißig Seitenhiebe auf den direkten Konkurrenten Samsung. Beim vorgestellten Speicher handelt es sich um einen 768 GBit NAND, der 3 Bit pro Speicherzelle (Triple Level Cell, TLC) speichert. Verwendet wird auch die Floating Gate Technology, die aus der Fertigung planarer Speicherdesigns bekannt ist.</p>
<p>Mit 768 GBit oder 96 GB erreicht der Chip eine enorme Speicherdichte von 4,29 GBit/mm2. Der 256 GBit 3D-NAND von Samsung kommt auf eine Speicherdichte...<br /><br /><a href="/index.php/news/allgemein/wirtschaft/38050-.html" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>
<p>Mit 768 GBit oder 96 GB erreicht der Chip eine enorme Speicherdichte von 4,29 GBit/mm2. Der 256 GBit 3D-NAND von Samsung kommt auf eine Speicherdichte...<br /><br /><a href="/index.php/news/allgemein/wirtschaft/38050-.html" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>