Samsung nennt Daten zu erster Z-NAND SSD SZ985

[HWL News Bot]

Intel und Micron haben bereits den Verkauf der ersten SSDs auf Basis von 3D-Xpoint-Speicherchips gestartet, während Samsungs Z-NAND weiterhin auf sich warten lässt. Das südkoreanische Unternehmen hat nun jedoch mit der SZ985 das erste Laufwerk angekündigt und nennt weitere technische Dateils.Die SZ985 wird als Steckkarte in den Handel kommen und eine Kapazität von 800 GB bieten. Aufgrund des eingesetzten Z-NAND sollen sowohl die Vorteile von schnellem DRAM als auch die Möglichkeit einer dauerhaften Speicherung der Daten über...

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[Holt]

Die seq. Transferraten der Optane werden ja nur von deren Controller beschnitten, die 3D Point könnten viel mehr, was man mit Blick auf die Daten der anderen Modelle, vor allem der kleinen Optane Memory M.2 SSDs sieht, die als 16GB 900MB/s lesend schafft. Aber weder die seq. Transferraten noch die maximalen IPOS bei extrem vielen parallelen Zugriffen machen ja das Besondere der Optane aus, sondern eben die geringe Latenz die bei kurzen zufälligen Zugriffen und wenigen Parallelität vor allem Lesend um Länge bessere Werte als bei den bisherigen SSDs mit NAND ermöglicht. Hierzu gibt Samsung nichts an, man wird abwarten müssen was die Z-SSDs da leisten.

Der andere große Vorteil der Optane ist, dass sie auf ihr 3D XPoint wahlfrei zugreifen und einzelne Daten einfach überschreiben können, während man NAND nicht überschreiben kann, sondern es erst Löschen muss und dies auch noch Blockweise. Man muss dabei vorher obendrein die noch gültigen Daten in dem Block in andere Pages kopieren und bei permanenten Schreibvorgängen muss dies alles während des Schreibens erfolgen, die SSDs ist dann im Steady State und die Angaben der maximalen IOPS beziehen sich bei solchen Enterprise SSDs auf genau diesen Zustand (für Client SSDs wird hingegen der viel höhere Maximalwert für eine leere SSD im Neuzustand angegeben), sind aber für die Z-SSD mit 150.000 IOPS schreibend nicht besser als für andere derartige SSDs auch, während die Optane DC P4800X mit 500.000 IOPS schreibend weit vorne liegt. Hier sehe ich jetzt nicht wirklich, dass Samsung da an die Optane ran kommt.

Außerdem bremsen parallele Lese- und Schreibvorgänge SSDs mit NAND mehr oder weniger deutlich, die Optane stört aber dies aber praktisch gar nicht. Auch hier wird es spannend zu sehen in wie sich die Z-SSDs hierbei verhalten. Wirklich interessant könnte an denen am Ende sein was Samsung im Zusammenhang mit der Arbeit an ihnen generell lernt und dann auch bei anderen Modellen, auch den Client SSDs, verbessert.

 

[Nimrais]

Sehe ich das richtig, dass ess sich um eine konventionelle SLC NAND SSD handelt?
3DX soll in Zukunft deutlich höhere Lebenserwartungen haben als NAND haben (sobald es als DRAM Ersatz zum Einsatz kommt). Diese SLC hier sollten da auch deutlich höher sein, wobei die Lebensdauer scheinbar kein Thema mehr zu sein scheint.