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GAA-Transistor als Nanowire für Transistoren in 5 nm und kleiner
Durch die Bank arbeiten die Halbleiterfertiger an einer Umsetzung für zukünftige Fertigungstechnologien. EUV wird ab 7 nm eine Rolle spielen, aber die Herausforderungen sind nicht nur in der reinen Belichtung zu suchen, sondern auch in den verwendeten Materialien zur Dotierung und in der Ausführung der Transistoren selbst. Ein Unternehmen namens Unisantis hat zusammen mit Imec eine neue SRAM-Zelle vorgestellt, die Surrounding Gate Transistoren verwendet.Planare Transistoren sind im Grunde in zwei Dimensionen aufgebaut, mit den aktuell...
