Micron feiert Tape-Out von 3D-NAND mit 128 Layern

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Micron hat die Entwicklung von 3D-NAND weiter vorangetrieben und die inzwischen 4. Generation von Speicherchips vorgestellt. Die neue Generation wird aus 128 Layern aufgebaut, während der Vorgänger noch auf 96 Layer setzte. Durch die höhere Anzahl an Schichten kann die Speicherdichte erhöht werden und damit steht pro Chip mehr Speichervolumen zur Verfügung. Gleichzeitig können pro Wafer mehr Speicherchips hergestellt werden, womit die Produktionskosten sinken sollten. Allerdings soll die Kosteneinsparung bei der Produktion nicht sonderlich hoch ausfallen. Micron setzt auch bei der 4. Generation weiterhin auf das CMOS-Under-Array-Design. Man habe das Tape-Out bei der...

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Gleichzeitig können pro Wafer mehr Speicherchips hergestellt werden, womit die Produktionskosten sinken sollten. Allerdings soll die Kosteneinsparung bei der Produktion nicht sonderlich hoch ausfallen.
Wirklich mehr Chips pro Wafer bekommt man nur, wenn die Anzahl der nativen Layer steigt, nicht wenn man mehr Layer nur durch das Stacking von mehr Dies erhält. Schon bisher hat Micron ja 2 Dies gestackt:

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Samsung hat bisher als einzige NAND Hersteller nur NAND mit nativen Layer, also ohne Stacking, obwohl Samsung gerade erst HBM mit 12 gestapelten DRAM Chips vorgestellt hat. Würde Samsung auch 12 ihrer 3D NANDs so stapeln, wären man wohl bei über 1000 Layern.

Micron_stacked_NAND.jpg
 
Ist ja alles schön und gut, nur so schnell steigt allerdings nicht der speicherverbrauch bei ram und die Entwickler und Software Programmierer brauchen auch nicht so schnell immer mehr. Irgendwann findet man immer schwieriger einen richtigen einsatzzweck dieser massiven Leistungssteigerung. Oder was meinst du denn dazu?
 
Stimmt OK ja sorry, es geht ja um ssds, sowie um Festplatten generell und nicht um RAMs. Oh mann. Immer mehr Schichten und speichersichte ist immer gut. Na hoffen wir mal das somit die Grenze des Volumens damit weiter steigt.
 
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