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Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK hynix hat jetzt erstmals 1z-nm 16Gb DDR4-DRAM der Öffentlichkeit vorgestellt. Mit der kleineren Strukturbreite, in der die DRAM-Chips gefertigt werden, soll die Produktivität in der Fertigung um 27 % gesteigert werden können. Die genauen Details zur Fertigung nennt SK Hynix aber nicht, denn anders als bei den Prozessoren sind die Bezeichnungen für die Fertigung nicht sonderlich eingängig. Der neue 1z-nm DRAM unterstützt eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 MT/s. Laut Aussagen von SK Hynix gelang es dem Unternehmen, die Energieeffizienz deutlich zu optimieren, indem der Stromverbrauch um etwa 40 % im...
