Samsung entwickelt V-NAND mit 160 Layer

[HWL News Bot]

Samsung entwickelt derzeit die inzwischen 7. Generation seines V-NAND. Ziel der neusten Generation ist vor allem die Erhöhung der Layer, um die Speicherdichte der einzelnen Chips noch weiter zu erhöhen und damit gleichzeitig die Produktionskosten zu senken. Die 7. Generation wird laut ersten Informationen des Herstellers mit mindestens 160 Layern daherkommen. Zudem könnte dadurch auch die Geschwindigkeit erhöht werden.
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