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Samsung hat angekündigt, dass man ab 2023 mit der Fertigung eines neuen DDR5-Speichertyps beginnen wird. Es soll sich um eine Fertigung in einer "12-nm-Klasse" handeln, bei der einige Schichten mittels EUV belichtet werden. Laut Samsung ist die Dichte, in der die Speicherchips gefertigt werden, die weltweit höchste. Gegenüber der bisherigen Fertigung will Samsung die Wafer-Produktivität um 20 % seigern können.
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