0,75 High-NA und Hyper-NA EUV: ASML zeigt neue Roadmap für EUV-Systeme

[HWL News Bot]

EUV-Belichtung mit High Numerical Aperture – oder kurz High-NA – wird in den kommenden Jahren die aus Sicht der Optik einer Wafer-Belichtung entscheidende Technologie sein. ASML hat inzwischen zwei Systeme als TWINSCAN NXE:5000, eines an Intel und eines für interne Forschungszwecke, fertiggestellt, bzw. ausgeliefert. Auch wenn 0,55 High-NA EUV erst ab 2025/26 eine wichtige Rolle spielen wird, die darauffolgenden Jahre werden alle neue Fertigungstechnologie auf 0,55 High-NA EUV setzen, auch wenn dies nur für wenige Lagen eines Chips gelten sollte.
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[Sir Diablo]

Und diese Marketingbezeichnungen bedeuten jetzt was genau? So im Vergleich zur Transistordichte im 5nm z.B.?

Wäre nett, dies einfach mal gleich mit in die News zu schreiben, dann müsste man nicht jedesmal nachfragen.



Ich meine wir sind hier im Luxx und nicht auf Computerbild.

 

[Don]

Und diese Marketingbezeichnungen bedeuten jetzt was genau? So im Vergleich zur Transistordichte im 5nm z.B.?

Wäre nett, dies einfach mal gleich mit in die News zu schreiben, dann müsste man nicht jedesmal nachfragen.



Ich meine wir sind hier im Luxx und nicht auf Computerbild.

Wenn es denn so einfach wäre ... Also mit 0,55 High-NA EUV belichtete ASML bzw. das Imec kürzlich parallele Linien mit einem Abstand von 10 nm Wir reden hier aber davon, dass Hersteller 0,55 High-NA EUV für Nodes ab 2 nm und darunter einsetzen wollen. Aber wie wir ja wissen, findet sich in den Strukturen nichts, was 2 nm groß ist oder diesen Abstand hat.

Und ich würde mal behaupten, dass wir mit solchen News über dem Niveau der Computerbild liegen. Denn hier hätte man die eben gemachte Einordnung so sicher nicht gesehen

 

[Sir Diablo]

Ja ne, ich meinte nicht das Niveau der News, mehr das Interesse der Leser.



Aber gut, dann warten wir mal was daraus wird.