300 mm Durchmesser und 20 µm dick: Infineon stellt extrem dünne Wafer her

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Infineon hat die Herstellung und erste Nutzung von ultradünnen Wafern angekündigt, die auf eine Dicke von gerade einmal 20 µm kommen. Die Wafer haben den in der Halbleiterfertigung inzwischen üblichen Durchmesser von 300 mm. Mit einer Dicke von nur 20 µm stellen sie in der Fertigung und Handhabung in der Belichtung sowie der weiteren Verarbeitung eine besondere Herausforderung dar. Gemeinsam mit ersten Kunden will man diese jedoch gelöst haben und so soll in den kommenden vier bis fünf Jahren eine Umstellung auf die dünneren Wafer erfolgen. Mit 20 µm kommen die ultradünnen Wafer auf ein Viertel der Dicke eines menschliches Haares und sind halb so dick wie die aktuell fortschrittlichsten Wafer.
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