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Sk Hynix spricht von einer einfachen Adaption des neuen Speichers mit 321 Lagen, da man viele Prozessschritte der vorherigen Version mit 238 Lagen übernehmen konnte. Dazu gehört auch die sogenannte "3 plugs"-Technologie. Diese beschreibt eine Methode, bei der ein vertikales Loch durch Substratschichten erzeugt wird, um mehrere Zellen auf einmal zu erzeugen. Durch diesen Schritt soll die Fertigung des NAND mit derart vielen Lagen um 59 % produktiver gestaltet werden können.
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