Neue Fortschritte bei NECs MRAM

[mRAC [HWLUXX]]

<img style="margin: 10px; float: left;" alt="necrst" src="images/stories/logos/necrst.jpg" height="100" width="100" />Schon seit rund 20 Jahren gibt es Pläne, Speicherkapazitäten via magnetischer anstatt elektrischer Ladungen zu speichern - so könnten auch bei einem Stromausfall die Daten gespeiochert werden. Aktuelle Flash-Speichermedien arbeiten mit genau dieser Technik, der Nachteil dabei ist jedoch die verringerte Geschwindigkeit gegenüber DRAM-Speicher. Die Vorteile beider Techniken soll NECs MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) vereinen, war bislang jedoch aufgrund des hohen Leistungsbedarfs ein Nischenprodukt. Aktuelle Fortschritte bestätigen dem Speicher zwar immer noch rund 1 Milliampere Schreibstrom pro 150-nm-Chip, dieser soll aber in Zukunft nur noch...<p><a href="/index.php?option=com_content&view=article&id=12736&catid=48&Itemid=141" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>

 

[Bzzz]

\"Speicherkapazitäten via magnetischer anstatt elektrischer Ladungen zu speichern\"
Oder Satzbaufehler durch falsche Sätze bauen?