Diverse Bluescreens - Memtest86 Testergebnis Erklärung

[Craki]

Guten Tag liebe Cummunity!

ich habe nun nach einigen Bluescreens ua. "System Service Exception" einen Memtest86 über meine 4x8gb Ram Riegel in voller Bestückung laufen lassen. Die Bluescreens treten teilweiße während des Spielens auf teilweise aber auch nur beim YouTube Video schauen. In den letzten 3 Wochen ca 2-3 Mal. Ich kann sie nicht gewollt reproduzieren.

Hier mal ein Foto des Testergebnisses, wäre super wenn mir wer sagen könnte was dieses bedeutet und wie ich damit weiter vorzugehen habe.

lg

PS: Die Schritte in diesem Video habe ich bereits durchgeführt

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( How to Fix a "System Service Exception" Error )

 

[Kenaz]

Treten die Fehler auch ohne XMP auf?
Falls ja, die Speichermodule mal einzeln testen um das defekte Modul zu finden.

Handelt es sich hier um ein komplettes Speicherkit?

 

[Craki]

Die Variante mit ohne XMP werde ich testen, es handelt sich um jeweils 2x8 GB RAM Kits von der gleichen Firma/Marke

 

[Kenaz]

Dann schau auch mal mittels Thaipoon Burner ob auf den zwei Kits wenigstens die gleichen Speicherchips verbaut sind.
Bei einer Mischbestückung und dann noch OC, sind wahrscheinlich manuelle Einstellungen erforderlich.

 

[Craki]

Das ist das Ergebnis, leider werd ich daraus nicht wirklich schlauer aber vielleicht hilft es ja. Ich kann bei READ und Report im Thaipoon Burner 4 verschiedene SPD on SMBus von nr 50h-53h auswählen - wenn ich dann auf read gehe ist aber jeder davon gleich

Das ist der Read:

MEMORY MODULE
Manufacturer
G.Skill
Series
Ripjaws V Black
Part Number
F4-3200C16-8GVKB
Serial Number
Undefined
JEDEC DIMM Label
8GB 1Rx8 PC4-2133-UA1-11
Architecture
DDR4 SDRAM UDIMM
Speed Grade
DDR4-2133
Capacity
8 GB (8 components)
Organization
1024M x64 (1 rank)
Register Model
N/A
Manufacturing Date
Undefined
Manufacturing Location
Taipei, Taiwan
Revision / Raw Card
0000h / A1 (10 layers)

DRAM COMPONENTS
Manufacturer
Samsung
Part Number
K4A8G085W[B/C]-BCPB
Package
Standard Monolithic 78-ball FBGA
Die Density / Count
8 Gb / 1 die
Composition
1024Mb x8 (64Mb x8 x 16 banks)
Input Clock Frequency
1067 MHz (0.938 ns)
Minimum Timing Delays
15-15-15-36-50
Read Latencies Supported
16T, 15T, 14T, 13T, 12T, 11T, 10T
Supply Voltage
1.20 V
XMP Certified
1600 MHz / 16-18-18-38-56 / 1.35 V
XMP Extreme
Not programmed
SPD Revision
1.1 / September 2015
XMP Revision
2.0 / December 2013

FREQUENCY	CAS	RCD	RP	RAS	RC	FAW	RRDS	RRDL	WR	WTRS
1067 MHz	16	15	15	36	50	23	4	6	16	3
1067 MHz	15	15	15	36	50	23	4	6	16	3
933 MHz	14	13	13	31	44	20	4	5	14	3
933 MHz	13	13	13	31	44	20	4	5	14	3
800 MHz	12	11	11	27	38	17	3	5	12	2
800 MHz	11	11	11	27	38	17	3	5	12	2
667 MHz	10	10	10	22	32	14	3	4	10	2

FREQUENCY	CAS	RCD	RP	RAS	RC	FAW	RRDS	RRDL
1600 MHz	16	18	18	38	56	39	4	8

Das ist der Report:


Manufacturing Description

​

Module Manufacturer:	G.Skill
Module Part Number:	F4-3200C16-8GVKB
Module Series:	Ripjaws V Black
DRAM Manufacturer:	Samsung
DRAM Components:	K4A8G085W[B/C]-BCPB
DRAM Die Revision / Process Node:	N/A / Not determined
Module Manufacturing Date:	Undefined
Module Manufacturing Location:	Taipei, Taiwan
Module Serial Number:	00000000h
Module PCB Revision:	00h

Physical & Logical Attributes

​

Fundamental Memory Class:	DDR4 SDRAM
Module Speed Grade:	DDR4-2133
Base Module Type:	UDIMM (133.35 mm)
Module Capacity:	8 GB
Reference Raw Card:	A1 (10 layers)
JEDEC Raw Card Designer:	SK hynix
Module Nominal Height:	31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front:	1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back:	1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks:	1
Address Mapping from Edge Connector to DRAM:	Standard
DRAM Device Package:	Standard Monolithic
DRAM Device Package Type:	78-ball FBGA
DRAM Device Die Count:	Single die
Signal Loading:	Not specified
Number of Column Addresses:	10 bits
Number of Row Addresses:	16 bits
Number of Bank Addresses:	2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing:	2 bits (4 groups)
DRAM Device Width:	8 bits
Programmed DRAM Density:	8 Gb
Calculated DRAM Density:	8 Gb
Number of DRAM components:	8
DRAM Page Size:	1 KB
Primary Memory Bus Width:	64 bits
Memory Bus Width Extension:	0 bits
DRAM Post Package Repair:	Supported
Soft Post Package Repair:	Supported

DRAM Timing Parameters

​

Fine Timebase:	0.001 ns
Medium Timebase:	0.125 ns
CAS Latencies Supported:	10T, 11T, 12T, 13T, 14T, 15T, 16T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min):	0.938 ns (1066.10 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max):	1.600 ns (625.00 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min):	13.750 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min):	13.750 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min):	13.750 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min):	33.000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min):	46.750 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min):	350.000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min):	260.000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min):	160.000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min):	3.700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min):	5.300 ns
Write Recovery Time (tWR min):	15.000 ns
Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min):	2.500 ns
Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min):	7.500 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min):	5.625 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min):	21.000 ns
Maximum Active Window (tMAW):	8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC):	Unlimited MAC
DRAM VDD 1.20 V operable/endurant:	Yes/Yes
Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max:	1.16V / 1.20V / 1.26V
Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max:	2.41V / 2.50V / 2.75V
Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max:	0.565V / 0.605V / 0.640V

Thermal Parameters

​

Module Thermal Sensor:

Not Incorporated

SPD Protocol

​

SPD Revision:	1.1
SPD Bytes Total:	512
SPD Bytes Used:	384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh):	242Dh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh):	A01Ch (OK)

Part number details

​

JEDEC DIMM Label:

8GB 1Rx8 PC4-2133-UA1-11

​

Frequency	CAS	RCD	RP	RAS	RC	RRDS	RRDL	WR	WTRS	WTRL	FAW
1067 MHz	16	15	15	36	50	4	6	16	3	8	23
1067 MHz	15	15	15	36	50	4	6	16	3	8	23
933 MHz	14	13	13	31	44	4	5	14	3	7	20
933 MHz	13	13	13	31	44	4	5	14	3	7	20
800 MHz	12	11	11	27	38	3	5	12	2	6	17
800 MHz	11	11	11	27	38	3	5	12	2	6	17
667 MHz	10	10	10	22	32	3	4	10	2	5	14

Intel Extreme Memory Profiles

​

XMP Parameter	Profile 1	Profile 2
Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enables: Yes
Profile 2 (Extreme) Enables: No
Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel
Speed Grade:	DDR4-3200	N/A
DRAM Clock Frequency:	1600 MHz	N/A
Module VDD Voltage Level:	1.35 V	N/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK):	0.625 ns	N/A
CAS Latencies Supported:	16T	N/A
CAS Latency Time (tAA):	16T	N/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD):	18T	N/A
Row Precharge Delay Time (tRP):	18T	N/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS):	38T	N/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC):	56T	N/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW):	39T	N/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S):	4T	N/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L):	8T	N/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1):	560T	N/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2):	416T	N/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4):	256T	N/A
Show delays in nanoseconds

 

[bit64c]

Einfach den test mit allen 4 Riegeln einzeln durchlaufen lassen. Einer wird wohl defekt sein.

 

[Craki]

Habe jetzt alle Riegel einzeln getestet - bei keinem einzigen ein Error. Dann hab ich alle ohne XMP gemeinsam getestet und auch da war ebenso kein Error

 

[Kenaz]

Dann sind manuelle Einstellungen für DDR4-3200 und Vollbestückung nötig.
Meinst zwar sind alle gleich, aber kannst noch mal Thaipoon Screenshots von jedem Riegel unter Read machen?

 

[Craki]

Habs nochmal mit XMP versucht und da kam der gleiche Fehler

Alle 4 Riegel im Read -
1 - 2
3 - 4

 

[Kenaz]

Ja sind alle identisch.
Vielleicht reicht es schon aus die Nebenspannungen (VCCIO/SA) anzupassen oder die Vdimm leicht zu erhöhen.
Am besten du erstellst einen Thread im Speicherforum und verlinkst auf diesen hier. Dazu noch einen Screenshot vom Timing Configurator mit anfügen.

https://download.asrock.com/Utility/Formula/TimingConfigurator(v4.0.3).zip

 

[Phantomias88]

Habs nochmal mit XMP versucht und da kam der gleiche Fehler

Gibt es einen Grund, warum du den "Hammer Test" ausgewählt hast?

Der ist für ECC Speicher um das Korrigieren der Bit-Flips zu testen, mehr Infos gibt es hier: https://www.memtest86.com/troubleshooting.htm

Test mal ein andere Testmethode z.B. Test 3 [Moving inversions, ones&zeros, Parallel]

This test uses the moving inversions algorithm with patterns of all ones and zeros. Cache is enabled even though it interferes to some degree with the test algorithm. With cache enabled this test does not take long and should quickly find all "hard" errors and some more subtle errors. This is done in parallel using all CPUs.

 

[Kenaz]

Wozu soll er das machen? Der komplette Test wurde durchlaufen und die Fehler treten beim Test 9 auf.

 

[Phantomias88]

Wozu soll er das machen? Der komplette Test wurde durchlaufen und die Fehler treten beim Test 9 auf.

Wo siehst du das Test 9 genutzt wurde, auf den Bilder sehe ich Test 13.

Denn kann man ohne ECC ignorieren, da die Fehler provoziert werden beim Hammer Test.

Starting from MemTest86 v6.2, the user may see a warning indicating that the RAM may be vulnerable to high frequency row hammer bit flips. This warning appears when errors are detected during the first pass (maximum hammer rate) but no errors are detected during the second pass (lower hammer rate). See MemTest86 Test Algorithms for a description of the two passes that are performed during the Hammer Test (Test 13). When performing the second pass, address pairs are hammered only at the rate deemed as the maximum allowable by memory vendors (200K accesses per 64ms). Once this rate is exceeded, the integrity of memory contents may no longer be guaranteed. If errors are detected in both passes, errors are reported as normal.

The errors detected during Test 13, albeit exposed only in extreme memory access cases, are most certainly real errors. During typical home PC usage (eg. web browsing, word processing, etc.), it is less likely that the memory usage pattern will fall into the extreme case that make it vulnerable to disturbance errors. It may be of greater concern if you were running highly sensitive equipment such as medical equipment, aircraft control systems, or bank database servers. It is impossible to predict with any accuracy if these errors will occur in real life applications. One would need to do a major scientific study of 1000 of computers and their usage patterns, then do a forensic analysis of each application to study how it makes use of the RAM while it executes. To date, we have only seen 1-bit errors as a result of running the Hammer Test.

There are several actions that can be taken when you discover that your RAM modules are vulnerable to disturbance errors:

• Do nothing
• Replace the RAM modules
• Use RAM modules with error-checking capabilities (eg. ECC)

€dit: ok jetzt habe ich es selbst erst gesehen, pardon!

Test 9 [Modulo 20, Random pattern]

Using the Modulo-X algorithm should uncover errors that are not detected by moving inversions due to cache and buffering interference with the algorithm.

Das klingt aber auch nicht nach echten RAM Fehler.

 

[Kenaz]

Richtig, Test 13 war/ist nur der letzte Testlauf.
Und Test 13 sagt u.a. auch aus, dass der RAM für Rowhammer Attacken anfällig ist. Gilt also nicht nur für ECC Speicher. Hier gibts aber kein Problem.

 

[Craki]

habe den Thread jetzt hier

https://www.hardwareluxx.de/communi...en-eines-bereits-bestehenden-threads.1287935/

weitergeführt bzw eröffnet mit dem Screenshot vom Timing Configurator

Danke für die Hilfeleistung vorerst