Ne es ist nicht die Zeit in ns! Ein normaler DDR400 Speicher hat üblicherweise 5ns, egal ob CL2, CL2.5 oder CL3
Mit der Column Address Strobe Latency (auch kurz CL oder CAS Latency) wird die Verzögerung zwischen der Adressierung in einem RAM-Baustein und der Bereitstellung der an dieser Adresse gespeicherten Daten bezeichnet. Je höher der folgende Wert desto größer ist die Verzögerung.
Und wie schon gesagt. ca. 5% unterschied. Aber nimm keinen CL3, der ist zu langsam, auch bei 200MHz
EDIT:
Wie soll ich das alles richtig konfigurieren damit mein Com bei Games gut Läuft (schnellere Ladezeiten etc.)
Teste mal ob der Speicher bei 220MHz ein CL2-3-3-11 Timing packt, am besten mit 2,7 oder 2,8V testen. Fahre aber asynchron, d.h. CPU auf 166MHz und RAM auf 217MHz, da sonst die CPU streiken kann! Teste mit Memtest deinen Speicher auf Fehler.
Dann teste ob deine CPU, als XP3200+ läuft, fallst du es willst. Gehe auf 200MHz x 11. nun kannst du auch denn Speicher auf 200MHz laufen lassen. Behalte die Temperatur im Auge (max. 60°C Vollast!). Wenn er nicht stabil läuft, dann erhöhe die Vcore auf 1,68V und teste nochmal. Teste mit Prime, PCMark etc.
Nun geht der Speicher auf 220MHz und die CPU auf 2200MHz stelle folgendes ein:
UNLOCKED CPU:
Stell 220x10 ein, bei CL2-3-3-11
LOCKED CPU:
Stell 200x11 ein, bei CL2-2-2-11
Wenn du nicht übertakten willst, aber ne UNLOCKED CPU hast stell 8,5x215MHz ein.
Wenn der PC nicht startet, teste mit einem niedriegerm Timing!
Teste dich am besten runter bei 220MHz:
2.5-3-3-11
2-3-3-11
2-3-2-11
2-2-2-11
Bei 200MHz müsste er CL2-3-3-11 schaffen.
Falls du deinen Speicher bessere Timings bzw. mehr Takt hineinjagen willst, musst du die Vdimm erhöhen! Bis 2,95V haben GeIL Speicher Garantie
Achja, nimm immer als TRAS Latency die 11, ist schneller als 5 oder 6 etc. Denke aber nicht das eine höhere Zahl noch schneller sei
12 oder gar 13 verlangsamt ungemein! 11 ist einfach optimal!
Bei denn anderen Werten, die niedrigeren, ist immer die kleinste Zahl die schnellste
Falls nix mehr geht -> CMOS Reset