Also *weitaushol*:
CAS# Latency
Damit wird die Zeitverzögerung (in Taktzyklen) gesteuert, bevor der SDRAM
nach Erhalt eines Lesebefehls mit seiner Abarbeitung beginnt. Einstellungen:
2 und 3. 2 erhöht die System-Performance, während 3 eine stabilere Perform-ance
bietet.
Row Precharge Time
Diese Einstellung steuert die Anzahl der vor dem erneuten Laden für Row
Address Strobe (RAS) zu gestattenden Zyklen. Wenn die Zeit für den RAS
nicht ausreicht, um vor dem DRAM-Refresh Ladung anzusammeln, ist der
Refresh vielleicht unvollständig, und der DRAM kann Daten verlieren. Dieser
Menüpunkt trifft nur zu, wenn im System synchroner DRAM installiert ist.
Einstellungen: 2T und 3T.
RAS Pulse Width
Diese Einstellung ermöglicht Ihnen, die Anzahl der Taktzyklen auszuwählen,
die entsprechend den DRAM-Spezifikationen für die RAS-Pulsbreite
zugewiesen werden. Je niedriger die Taktzyklen, desto schneller der DRAM.
Einstellungen: 6T und 5T.
RAS to CAS Delay
Wenn DRAM aufgefrischt wird, werden beide Zeilen und Spalten separat
adressiert. Diese Funktion des Setup-Menüs ermöglicht Ihnen, die Zeit für
den Übergang von RAS (Row Address Strobe) nach CAS (Column Address
Strobe) festzulegen. Je niedriger die Taktzyklen, desto schneller der DRAM.
Einstellungen: 3T und 2T.
Bank Interleave
Mit diesem Feld lässt sich für den installierten SDRAM 2-Bank- oder 4-Bank-Interleave
auswählen. Deaktivieren Sie die Funktion, wenn 16MB SDRAM
installiert ist. Einstellungen: Disabled, 2-Way und 4-Way.
Burst Length
Diese Einstellung ermöglicht Ihnen, für den DRAM die Burst-Länge einzustellen.
Die Bursting-Funktion ist eine Technik, bei der vom DRAM selbst die nächste
Speicher-Adresse vorherbestimmt wird, auf die nach dem Zugriff auf die erste
Adresse zugegriffen wird. Um die Funktion zu benutzen, müssen Sie die Burst-Länge
definieren, die die eigentliche Burst-Länge plus der Start-Adresse ist
und eine interne Zählung der Adressen erlaubt, um die nächste Speicher-Adresse
richtig zu generieren. Je größer die Länge, desto schneller der DRAM.
Einstellungen: 4 QW und 8 QW.
SDRAM 1T Command
Dieser Menüpunkt steuert die SDRAM-Befehlsrate. Wählen Sie Enabled, kann
der SDRAM-Signal-Controller bei einer Rate von 1T (T=Taktzyklen) arbeiten.
Disabled lässt den SDRAM-Signal-Controller bei einer Rate von 2T arbeiten.
1T ist schneller als 2T.
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Mfg. Morphium
