<p><img src="images/stories/logos/intel3.jpg" alt="intel3" style="margin: 10px; float: left;" height="100" width="100" /><a href="http://www.intel.com/index.htm#/de_DE_03" target="_blank">Intel</a> veröffentlichte kürzlich erste Entwicklungsdetails über einen neuen P-Kanal-Transistor. Dieser basiert auf einem Silizium-Substrat das seinerseits aus einer <a href="http://en.wikipedia.org/wiki/List_of_semiconductor_materials#Group_III-V" target="_blank">Halbleiterverbindung</a> besteht, die auch als III-V-Materialien bekannt ist. Der Name III-V-Materialien rührt daher, dass die entsprechenden Elemente das in der 4. Spalte des <a href="http://en.wikipedia.org/wiki/Periodic_table" target="_blank">Periodensystems</a> liegende Silizium umspannen. Dieses Forschungsprojekt...<p><a href="/index.php?option=com_content&view=article&id=11723&catid=34&Itemid=99" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>