Masterblaster schrieb:
2T = Command rate. 1T ist Standard (auch bei 2 1GB Modulen)
Es bedeutet das die Module langsam laufem, du hast keinen hohen Speicherdurchsatz, CL2 kann dies überhaupt nicht ausgleichen.
Bist du dir da sicher ?
Nahm immer an das, daß T für Taktzyklen steht.
Command Rate CMD (1/2)(Command Rate, MA 1T/2T Select) Anzahl
der notwendigen Taktzyklen, um das Speichermodul und den
Speicherchip mit dem gewünschten Datenbereich anzusteuern. Bei
voll bestückten Speicherbänken muss der Wert auf 2T erhöht
werden. Dies führt zu einem merklichen Performance-Verlust.
Aus den Taktzyklen resultiert die sogenannte Latency bedeutet zu Deutsch Latenzzeit und beschreibt eine Wartezeit.
Einen Speicherchip mit einer bestimmten Kapazität stellt man sich am besten als Gitter oder Matrix vor. Um die einzelnen Speicherstellen ansprechen zu können, werden sie in Zeilen (English "rows")
und Spalten (Columns) unterteilt. CAS ist daher das
Column-Address-Signal. Neben diesem gibt es auch ein Row
Address Signal. Aber dies ist nicht so wichtig.
Der Speicherdurchsatz ist an den Speichertakt(133/200/333/400/usw.) selbst gebunden, nicht aber an der Latenzzeit. Sicher kann sich, durch ein bessere Timing, dem Maximalwert des Speicherdurchsatztes angenährt werden. Sprich umso schneller der Baustein die Adressierungen findet, umso schneller kann er sie wieder ausgeben, aber eben nie schneller als den max. Wert des Speichertaktes, selbst wenn der Zugriff schneller stattfinden sollte als eben die Möglichkeit Daten weiterzutransprortieren. (Daher ist es so wichtig ein ausgewogenes Sytem aufzubauen/den das schwächste Glied best. das Tempo). (Zugegeben, wenn das Timing mies ist, kann sich dies
auf den Datendurchsatz ausüben aber eben nicht auf den Speicherdurchsatz). Dennoch ist das Maximum was der Speicher ausgeben kann (also den Speicherdurchsatz) die (G)Mhz-Angabe. Das ist wie bei der CPU. Man kann einen 3 GHZ Rechner haben, dennoch kommuniziert er mit der Nothbridge, mit der maximalen Geschwindigkeit des Front-side-bus.(FSB). Sicher bringt der höhere Takt der CPU was, da ja viele Prozesse und deren mathematische Vorgänge berechnet werden müßen. Und ebenso ist es bei dem Speicher. Also wenn man nur die Timings hochsetzt, bringt dies zwar defenitiv was, da das Maximum voll ausgeschöpft wird. Aber mehr als den Speichertakt voll auszunutzen vermag dies nicht. Dazu müßte man schon diesen erhöhen, was ja auch ständig von der Industrie gemacht wird. Das andere könnte man eher als feintuning bezeichnen. Ein übertakten ist dies sicher nicht.
Falls ich mich irren sollte bitte ich um berichtigung.
Der Gesamtspeicher sollte in Form von möglichst wenigen Modulen (DIMM) benutzt werden. Diese sollte nach möglichkeit "one sided" sein, sprich nur eine Seite sollte mit Chipsätzen bestückt sein. Und auch dort gilt, umso weniger Chips umso besser.Dies bringt performance-Vorteile und mehr Stabilität. Das alles hat mit den Adressierungen und derene Zugriffszeit zu tun. Zugegeben die Betriebssyteme von heute (xp/2000) gehen erst bei 1GB so richtig ab. Und die heutigen Prozessoren können bis zu maximal 3,4 (3,5) GB Speicher verwalten, bzw adressieren.Aber ob die immer ausgenutzt werden ist fraglich. Bei Filmbearbeitungsprogrammen oder Renderarbeiten würde ich mal ja sagen, aber für Spiele und normale office Anwendungen würde ich dies bezweifeln. Und wenn es um Geschwindigkeit geht, dann nur einen, wegen eben diesen Adressierungen. Was uns zu Dual-channel Speicher führt.
Im Idealfall unterstützt der Speicher nämlich "dual channel" (dc). Wenn man in betracht zieht mehr als einen Speicher zu benutzen, so sollte man definitiv welche mit dc unterstützung kaufen.
Der Vorteil leigt auf der Hand.
Dual channel Speicher untertstützt zwei Tunnel (zwei Piplines/Fülltrichter) um den Prozessor mit Daten zu füttern.
Dabei ist er in der lage doppelt soviel zu liefern wie ein einfacher Tunnel. Mit zwei Kanälen/Tunnel, ist es möglich 128 bits an Daten zur selben Zeit zu transferieren. Der Prozess arbeitet zeitgleich.
Um zu verhindern das die Fülltrichter sich überfüllen, gibt es den sog. Verkehrscontroller (traffic controller).
Der Speichercontroller muß ja mehrere Speichermodule und managen und dessen Adressen ansprechen (ein/auslesen). Soll bis zu 1.5 mal so schnell sein wie single channel Memory.
So wie ich das verstanden habe ist es also egal ob man nun ein oder zwei Speichermodule benutzt. Auch ein dc-RAM bringt den Vorteil.
Allerdings frage ich mich da, warum immer die (dc) fähigen Module in einem Kit-set verkauft werden. Vielleicht habe ich die Erklährung von Kingsten auch falsch verstanden. Und es müßen immer zwei Speichermodule vorhanden sein, die auf der gleichen Pipline arbeiten und so der Speichercontroller entlaßten und die hohe Transferrate zulassen. Also ist der dual channnel auf jedem Chip (sprich zwei Kanäle als früher einen) oder werden die Speicher im Duett zu Zweikanalspeicher.
Noch ein paar Erklährungen :
Um Speicherstellen lesen und schreiben zu können, wird von dem Speicher-Controller zuerst die Zeilennr. der gewünschten Adresse übergeben Dazu wird das sog. RAS-Signal aktiviert.
Bis der Zugriff erfolgt vergehe einige Taktzyklen (die
RAS-to-CAS Delay-Zeit). Bis das CAS-Signal ebenfalls
aktiviert wird, vergehen wieder einige Takte. Bei
Bei Double-Data-Rate Speicher sind dies 4 oder 5 Takte. Unter
Berücksichtigung des DDR-Verfahrens ergeben sich daher
CAS-Latenzzeiten von 2 oder 2,5 "echten" Takten.
Die RAS-to-CAS Zeit liegt technisch bedingt meist zwischen 5
und 7 Takten. Man könnte also meinen, CL2-Speicher ist langsameren
Modellen mit CL2.5 (DDR) oder CL3 (SDRAM) haushoch überlegen.
Theoretisch trifft das zu, aber einige Faktoren relativieren
den Vorteil der früheren Datenauslieferung.
Die da wären :
1.Trefferquoten im Cache-Speicher (ist muß eher sehr selten direkt aus dem Speicher gelesen werden).
2.Zeile wechselt (RAS-to-CAS Zeit fällt an und der den Lesevorgang verzögert sich/neuer Zyklus)
3.Burst-Reads (hintereinanderliegende Specherzellen/adressierungen werden gelesen so fällt die CAS-Latency eh nur einmal an.)
Die wichtigsten Spechertimings :
(CL-RCD-RP-RAS)
CL = CaS-Latency Time (CAS Timing Delay) (1,5/2,0/2,5/3,0)
Die Zeitdauer in Taktzyklen zwischen Adressierung der Spalte
und Bereitstellung der Daten im Ausgaberegister.
Bestmögliche Einstellung wird als
CL-Wert angegeben.
RAS-to-CAS-Delay RCD (RAS to CAS Delay, Active to CMD) (2/3/4/5)
Die Zeit zwischen Anlegen der Zeilenadresse und Übertragen der
Spaltenadresse. Die Einstellung von 2 Taktzyklen bringt bis zu
vier Prozent mehr Leistung.
RAS-Precharge-Time RP (RAS Precharge, Precharge to active)(2/3)
Die Anzahl der Taktzyklen zum Vorladen der Datenleitungen
bis zum Anlegen der Spaltenadressierung.
Row-Active-Time RAS (Active to Precharge Delay,
Precharge Wait State, Row active Delay, Row Precharge Delay) (5/6/7)
Die Verzögerung, wenn nacheinander zwei unterschiedliche Zeilen
eines Speicherchips angesprochen werden.
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Bank-Interleaving (Aus/2/4) (Bank Interleave) Die Speicherchips
sind bei DDR-RAM aus vier Bänken aufgebaut. Werden alle vier
Bänke per Interleaving parallel angesteuert, lässt sich die
maximale Performance erzielen.
Burst-Länge (4/8)(Burst Length) Die Burst-Länge gibt an, wie
viele Datenblöcke in einem Übertragungszyklus gesendet werden.
Im Idealfall wird eine Speicherreihe des L2-Caches bei
aktuellen Pentium-4- und Athlon-XP-CPUs mit einer Übertragung
gefüllt. Dies entspricht 64 Bit oder acht Datenpaketen.
Gruß
webby
Wenn etwas falsch sein sollte bitte ich dies zu korrigieren. Ausgenommen Rechtschreibfehler, die darf jeder behalten.
EDIT :
Ich habe übrigens ein ASRock P4v88 (unterstützt DC) Mainboard und hatte mir vor Kingston HyperX DIMM 1 GB Kit (DDR400, KHX3200AK2/1G) Speicher zu kaufen. Hat schone einer mit dessen Kompatibilität erfahrung gemacht ?
