Neues aus der Forschung

[Hiserius]

Schon gelesen? Samsung forscht ja schon ziemlich viel im Flash-Speicher-Bereich und hat nun wohl 3D Vertical NAND realisiert. Einfach mal selbst lesen, ich finds ziemlich genial:
3D V-NAND: Samsung stellt Flash-Chips mit 1 Terabit in Aussicht - Golem.de

Wird zwar noch ewig dauern, bis das auf den Markt kommt, aber schön zu sehen, wie weit man schon ist

Auch sehr geil: RRAM von Crossbar:
RRAM von Crossbar: 1 TByte pro Chip und 20-mal schneller als Flash-Speicher - Golem.de

Die RRAM-Chips bestehen aus drei Schichten: einer unteren, nicht metallischen Elektrode, einem mittleren amorphen Schaltmedium aus Silizium und einer oberen, metallischen Elektrode. Wird an die Elektroden eine Spannung angelegt, bilden sich kleine Fäden im Schaltmedium. Einzelne Zellen sind weniger als 5 Nanometer groß, schalten in weniger als 100 Nanosekunden und sollen so Daten mit 140 MByte/s schreiben können. Dabei wird nur eine Spannung von 3 Volt und eine Stromstärke zwischen 1 und 10 Mikroampere benötigt.

Das haut mich grad echt vom Hocker!