Platz- und stromsparend: IBM und Samsung entwickeln den VTFET

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Zur International Electron Devices Meeting (IEDM) stellen IBM und Samsung ein Ergebnis der gemeinsamen Forschung vor. Dabei handelt es sich um eine neue Form der Transistoren – keine GAA-Transistoren wie sie aktuell fast jeder Halbleiterhersteller entwickelt, unter anderem auch IBM und Samsung, sondern die klassischen FinFETs werden anders angeordnet.
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