Plextor M7V-SSD kommt mit 15-nm-TLC-NAND

mhab

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<p><img src="/images/stories/logos/plextorlogo.jpg" alt="plextorlogo" style="margin: 10px; float: left;" />Plextor wird mit der M7V bald eine neue SSD im M.2-Format auf den Markt bringen. Das Laufwerk soll sich einerseits durch eine hohe Leistung auszeichnen, andererseits zu einem günstigen Preis angeboten werden. Als Basis setzt Plextor auf den Marvell-Controller 88SS1074. Dieser wird im 28-nm-Prozess gefertigt und sei vor allem aufgrund der verbesserten Fehlerkorrektur für den verbauten NAND-Speicher sehr gut geeignet. Beim Speicher greift man auf TLC-Speicher aus dem Hause Toshiba zurück. Die Speicherbausteine wurden im 15-nm-Prozess gefertigt und sollen bis zu 2.000 P/E-Zyklen aushalten. Hieraus ergibt sich für die 128-GB-Variante eine Schreibleistung von mindestens 80 TB. Das...<br /><br /><a href="/index.php/news/hardware/festplatten/38459-plextor-m7v-ssd-kommt-mit-15-nm-tlc-nand.html" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>
 
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Solche Angaben sind doch Müll: "bis zu 2.000 P/E-Zyklen aushalten", denn da heißt "bis zu" doch immer: Wirst Du nie erreichen. Ein Mensch kann bis zu 120 Jahren alt werden, aber wohl keiner von uns wird das schaffen. Seriös wäre es wie früher üblich die Anzahl der P/E Zyklen zu spezifizieren bis zu denen die JEDEC JESD218 Vorgaben eingehalten werden, die z.B. 12 Monaten Data Retention Time bei Lagerung bei 30°C verlangen. Dass die NAND zumindest bei Herstellern die bei der Angabe seriös waren, danach meist noch ein Vielfaches an Zyklen überstehen bevor sie wirklich platt sind, zeigen doch die zahlreichen Endurance Tests von SSDs im Netz.

In einem Endurance Test hatten die 19nm TLC NANDs der Ultra II so 2600P/E Zyklen ausgehalten bevor sie so platt waren, dass die SSD ausgefallen ist. Die genannten 2000 Zyklen für das 15nm würden also wohl damit vergleichbar sein, eine Verringerung in der Größenordnung könnte man nach dem Shrink etwa erwarten. SanDisk hinterlegt für die Ultra II in den S.M.A.R.T. Werten aber nur rund 500 P/E Zyklen, dann ist der MWI auf 0, nach der Rechnung würde es dann auf etwa 400 spezifizierte P/E Zyklen hinauslaufen.

"Bei dieser Technik wird auf einen SLC-Cache bzw. Pseude-SLC-Modus zurückgegriffen" Die mit TLC NAND haben bisher immer alle ersteres und die mit MLC NAND wenn, denn letzteres gemacht. Der Unterschied ist, dass bei ersterem ein fester Bereich der NAND verwendet wird und dieser nur als Cache dient, bei Zellen dort also immer nur mit einem Bit wie SLC NAND beschrieben werden und bei zweitem wird in den freien Zelle des normalen NANDs erst ein Bit und danach, also erst wenn keine mehr verfügbar sind oder die Quote voll ist, wird das zweite Bit geschrieben, bei dem das Schreiben bekanntlich länger dauert. Jede Zelle also auch mal im Pseudo-SLC Modus beschreiben und nicht nur kleiner, fester Bereich, aber dafür müssen die Daten hinterher umsortiert werden, was die WA erhöht, während ein fester Cachebereich (ersteres) die WA der normalen NANDs eher senkt, da Daten die zwischenzeitlich überschrieben oder gelöscht (getrimmt) wurden, ja nicht mehr in den normalen Bereich kopiert werden müssen und außerdem kann der Controller die Schreibvorgänge auch optimieren, er weiß ja z.B. schon welche Daten im normalen NAND von Daten im Cache überschreiben und damit ungültig geworden sind.

Da bei der SSD um die es hier geht TLC NAND verbaut ist, dürfte klar sein welche der beiden Techniken zu Einsatz kommt.
 
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