Samsung beschreibt Vorteile und Herausforderungen der 10-nm-SRAM-Fertigung

Don

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<p><img src="/images/stories/logos-2015/samsung_2013.jpg" alt="samsung 2013" style="margin: 10px; float: left;" />Gerade erst kann von einer Massenfertigung in 14/16 nm gesprochen werden, da beginnen die großen Halbleiterhersteller damit konkrete Zahlen zum nächsten Schritt zu nennen. Wie immer beginnt man natürlich mit recht einfachen Strukturen, da diese in einer neuen Fertigungstechnologie zunächst einmal weniger Probleme aufwerfen können. Auf der Solid-State Circuits Conference (ISSCC) sprach Samsung nun über die 10-nm-FinFET-Fertigung für 128-MBit-SRAM-Chips.</p>
<p>Laut Samsung sind die neuen Chips 38 % kleiner als die in 14 nm gefertigten Chips. Die Chipfläche beträgt 0,040 µm2 im Vergleich zu 0,049 µm2. Da SRAM-Speicherchips auch ein Bestandteil eines SoC sein können...<br /><br /><a href="/index.php/news/allgemein/wirtschaft/38029-samsung-beschreibt-vorteile-und-herausforderungen-der-10-nm-sram-fertigung.html" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>
 
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