Samsung spricht über Fertigung in 3 nm mit GAA-Transistoren

[HWL News Bot]

Samsung hält gerade das 3. US Samsung Foundry Forum ab und präsentiert dabei die Neuheiten und Pläne rund um die Halbleiterfertigung. Nicht ganz zufällig dürften darin auch GAA-Transistoren genannt werden, zu denen wir eine Meldung zum Einsatz als Nanowires für Transistoren in 5 nm und kleiner hatten.Samsung hat derzeit folgende Pläne für die Fertigung: 7LPP (7nm Low Power Plus), 5LPE (5nm Low Power Early), 4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus) und 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus).7LPP soll...

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