Samsung startet Produktion des 3D V-NAND der 4. Generation mit 64 Lagen

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Samsung hat laut eigene Angaben mit der Produktion vonV-NAND in der vierten Generation begonnen. Eigentlich sollten die gestapeltenSpeicherchips mit ihren 64 Lagen bereits 2016 in die Produktion gehen, dochaufgrund von technischen Schwierigkeiten musste Samsung die Massenproduktionimmer wieder nach hinten verschieben. Inzwischen würden die Speicherchips ingroßen Menge vom Band laufen und eine Speicherkapazität von 256 Gbit bieten. Samsunggibt an, dass bis Jahresende etwa die Hälfte aller produziertenNAND-Speicherbausteine auf die vierte Generation setzen soll.Samsung setzt bei seinem neuen V-NAND auch weiterhin auf dieTLC-Technik, womit pro Zelle drei Bit gespeichert werden...

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Samsung setzt bei seinem neuen V-NAND auch weiterhin auf die TLC-Technik, womit pro Zelle drei Bit gespeichert werden können.
Eine MLC Version gibt es aber hoffentlich auch weiterhin.
Im Vergleich zum herkömmlichen 2D-NAND aus dem 10-nm-Prozess soll die Geschwindigkeit damit bis zu 10x höher ausfallen.
Mir wäre nicht bekannt das man 10nm NAND fertigt und da wären die Zellen wohl auch zu klein, in der Mittelung ist aber auch von 10nm class die Rede und auch nicht von 10x sonder nur von 4x schneller:

Damit sind alle NAND mit weniger als 20nm gemeint. Die genauen nm geben viele Speicherhersteller in dem Bereich nämlich gar nicht mehr an, auch beim DRAM spricht Samsung nur noch von 10nm class, was aber eben alles von 10nm bis 19nm umfasst. Z.B. hier: Samsung Starts Mass Producing Industry’s First 10-Nanometer Class DRAM

Ihr sollten dem News Bot besser auf die Finger schauen, damit der die News nicht mehr so stark verfälscht!
 
So langsam könnte mal ne "günstige" 2TB 960 Evo kommen...
 
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