Samsung will ab 2025 in 2 nm produzieren

[HWL News Bot]

Auf dem Samsung Foundry Forum hat der koreanische Großkonzern über seine Pläne hinsichtlich der Fertigung gesprochen. Dabei greift Samsung gar nicht so weit vor und will schon ab Ende 2022 mit der Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) – so wie man dies auch zuletzt bereits bekräftigte. Für eine Fertigung besonders wichtig ist dabei die Ausbeute. Nach aktuellem Stand soll 3GAE auf Niveau der Fertigung in 4 nm zum gleichen Entwicklungsstand sein. Ein paar Monate später (2023) geht es dann mit 3GAP (3 nm Gate All Around Plus) weiter.
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[smalM]

Dabei greift Samsung gar nicht so weit vor und will schon ab Ende 2022 mit der Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) – so wie man dies auch zuletzt bereits bekräftigte.

Was will Samsung?

3GAE und 3GAP sollen [...] eine Verkleinerung der Strukturen von 45 % gegenüber 7LPP ermöglichen.

Das machte eine theoretische Dichte von 180 MT/mm².

Von 4LPP verspricht sich Samsung vor allem Verbesserungen in der Leistung. Bei der Packdichte scheint sich gegenüber 5LPE und 5LPP nicht viel zu tun.

4LPE/4LPP wurden erst kürzlich zu einer eigenen Node-Familie umgemodelt; vorher waren das einfach Fortführungen vom 5LPP. Mehr als eine Änderung auf den Marketingfolien gab's aber wohl nicht.

Um die Nachfrage in den kommenden Monaten decken zu können, plant Samsung zudem den Ausbau seiner Fertigungsstätten in Südkorea und den USA.

Samsung baut bereits an Pyeongtaek Phase 3, Phase 2 soll dieses Jahr in Betrieb gehen.
Die Austin Fab hat hingegen noch keinen Standort.
Mit den kommenden Monaten hat die nichts zu tun, es sei denn der Autor und ich haben über "kommend" völlig unterschiedliche Ansichten...

 

[Rollo3647]

"...fertigt in 2nm"
große Atome die benutzen

 

[Holt]

Die nm Angaben sind doch schon lange Unsinn und verschwinden daher auch aus den Bezeichnungen, die jetzt eben 7LPP, 4LPP, 3GAE oder 2GAP sind und daher ist es gut, dass Intel seine Namensschema auch umgestellt hat. Früher war das nämlich so, dass dies zwar auch keine echten Strukturgrößen hat, aber das Quadrat der Zahl im Verhältnis zur Dichte der Transistoren stand, also beim Schritt von 22nm (22² = 484 ) auf 14nm (14² = 196) eben etwa 2,4mal so viele Transistoren auf der gleichen Fläche untergebracht wurden (laut Intel waren es 15,3 zu 37,5MT/mm²). Wenn nun aber Samsung von 7LPP auf 3GAE nur eine "Verkleinerung der Strukturen von 45 %" hat, also auf 55% dann wäre nach dem alten Schema eher ein 5nm Prozess. Ebenso müsste der 17nm Prozess, der gegenüber dem 28nm nur 43% spart, eher als 22nm bezeichnet werden, denn 17nm würden gegenüber 28nm nach dem klassischen Namensschema 2,7x so viele Transistoren pro mm² bedeuten, also nur 37% der Fläche für die gleiche Anzahl an Transistoren benötigen und damit 63% der Fläche einsparen.

Wie man sieht ist also das Marketing bei den Namen der Prozesse den Technikern schon weit vorausgeeilt!

 

[Wutnischl]

Intel: "Mom, can I have 2nm"
Mom: " No, we have 2nm at home"
2nm @ home: "10mn+++++++"

Sorry, das musste raus

 

[Holt]

Sorry, das musste raus

Ist aber trotzdem nur dumm. Gib dir mehr Mühe dich mit dummen Kommentaren zurückzuhalten, dann wird das Forum besser und lesenswerter.

 

[Holt]

Intels vergleichbarer 2er ("2nm") Prozess wird sich Intel 20A nennen und steht ab Q3 2024 auf der Roadmap. Mit Qualcomm hat Intel auch einen ersten großen Kunden für diesen GAA Gate-All-Around Prozess. Qualcomm ist also offensichtlich zuverlässig, dass dies klappt bzw. Intel zumindest vor Samsung liegen wird:

2GAP will take another couple of years, mass production in 2025

 

[smalM]

Qualcomm sondiert, ob sie den Prozeß eventuell nutzen möchten, mehr nicht.

Und das Wort, das Du gesucht hast, ist "zuversichtlich".

 

[iceman84]

Kommt halt immer drauf an, Kosten, Ausbeute, Chipgröße..