MoBo 01/04
Enthusiast
Quellen:
/1/ LSI First to Publicly Demonstrate SSDs with Toshiba 19nm and Intel 20nm NAND Flash Memories
/2/ LSI to Demonstrate New SF-2000 FSPs with Toshiba 19nm and Intel 20nm NAND Flash | StorageReview.com - Storage Reviews
/3/ http://storage.toshiba.com/docs/product-datasheets/thnsnf.pdf?sfvrsn=4
/4/ http://storage.toshiba.com/docs/product-datasheets/thnsns.pdf?sfvrsn=4
LSI-Sandforce hat einen neuen SSD-Controller namens SF-2000 FSP präsentiert, der insb. für die kommenden 19nm- und 20nm-Flash-Generationen von Toshiba bzw. Intel entwickelt wurde /1,2/. Die Angaben zur Spezifikation vermitteln keine besonderen Überraschungen. Lediglich die fehlende explitzte Erwähnung der DuraClass Technology in der Featureliste ist im Vergleich zu früheren Sandforce-Designs auffällig.
- Up to 6Gb SATA III (with SF-2500/2600, SF-2400, SF-2300, and SF-2200)
- Toggle-, ONFi2-NAND
- No External DRAM
- ATA & TCG Security
- TRIM Command Support
- Drive Life Protection
- Power Performance Balancing
- Temperature Management
- Non-512B sector support (with the SF-2600)
- 512+DIF, 520, 524, 528, 4K, 4K+DIF
- Binary Capacities for Client
- Media Health Test (with the SF-2400)
- Nearly 2x Standard ECC above NAND limits (with the SF-2400)
- Two Package Options
- 14x14mm 400-TFBGA (16 byte lanes) & 0.65mm ball pitch
- 14x14mm 256-TFBGA (8 byte lanes) & 0.80mm ball pitch
Zur Performance sind noch keine offiziellen Angaben gemacht worden. Es liegt aber nahe, daß die gestern von Toshiba vorgestellten SSD-Serien THNSNF /3/ und THNSNS /4/ auf diesem Design basieren. Demnach würde im Vergleich zu bisherigen SF-Controllern eine deutlich höhere seq. Schreibleistung mit nicht komprimierbaren Daten erreicht.
Auszug aus der Spezifikation Toshiba THNSNFxxxGBSS
- 2.5-inch Case THNSNFxxxGCSS
- Drive Capacity 64 / 128 / 256 / 512GB
- NAND Technology 19nm MLC NAND
- Transfer Rate to Host Up to 6 Gb/sec
- Data Transfer Rate: Max. Sequential Read 524 MB/s
- Data Transfer Rate: Max. Sequential Write (Random data) 461 MB/s
- Random 4KiB IOPS: Read (sustain) 80k (128GB, 256GB, 512GB), Write (max.) 35k (128GB, 256GB, 512GB)
/1/ LSI First to Publicly Demonstrate SSDs with Toshiba 19nm and Intel 20nm NAND Flash Memories
/2/ LSI to Demonstrate New SF-2000 FSPs with Toshiba 19nm and Intel 20nm NAND Flash | StorageReview.com - Storage Reviews
/3/ http://storage.toshiba.com/docs/product-datasheets/thnsnf.pdf?sfvrsn=4
/4/ http://storage.toshiba.com/docs/product-datasheets/thnsns.pdf?sfvrsn=4
LSI-Sandforce hat einen neuen SSD-Controller namens SF-2000 FSP präsentiert, der insb. für die kommenden 19nm- und 20nm-Flash-Generationen von Toshiba bzw. Intel entwickelt wurde /1,2/. Die Angaben zur Spezifikation vermitteln keine besonderen Überraschungen. Lediglich die fehlende explitzte Erwähnung der DuraClass Technology in der Featureliste ist im Vergleich zu früheren Sandforce-Designs auffällig.
- Up to 6Gb SATA III (with SF-2500/2600, SF-2400, SF-2300, and SF-2200)
- Toggle-, ONFi2-NAND
- No External DRAM
- ATA & TCG Security
- TRIM Command Support
- Drive Life Protection
- Power Performance Balancing
- Temperature Management
- Non-512B sector support (with the SF-2600)
- 512+DIF, 520, 524, 528, 4K, 4K+DIF
- Binary Capacities for Client
- Media Health Test (with the SF-2400)
- Nearly 2x Standard ECC above NAND limits (with the SF-2400)
- Two Package Options
- 14x14mm 400-TFBGA (16 byte lanes) & 0.65mm ball pitch
- 14x14mm 256-TFBGA (8 byte lanes) & 0.80mm ball pitch
Zur Performance sind noch keine offiziellen Angaben gemacht worden. Es liegt aber nahe, daß die gestern von Toshiba vorgestellten SSD-Serien THNSNF /3/ und THNSNS /4/ auf diesem Design basieren. Demnach würde im Vergleich zu bisherigen SF-Controllern eine deutlich höhere seq. Schreibleistung mit nicht komprimierbaren Daten erreicht.
Auszug aus der Spezifikation Toshiba THNSNFxxxGBSS
- 2.5-inch Case THNSNFxxxGCSS
- Drive Capacity 64 / 128 / 256 / 512GB
- NAND Technology 19nm MLC NAND
- Transfer Rate to Host Up to 6 Gb/sec
- Data Transfer Rate: Max. Sequential Read 524 MB/s
- Data Transfer Rate: Max. Sequential Write (Random data) 461 MB/s
- Random 4KiB IOPS: Read (sustain) 80k (128GB, 256GB, 512GB), Write (max.) 35k (128GB, 256GB, 512GB)
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