SSD 540s: Intel könnte erstmals TLC-Speicher verbauen

[mhab]

<p><img src="/images/stories/logos-2015/intel3.jpg" alt="intel3" style="margin: 10px; float: left;" />SSD-Hersteller wie Samsung, Crucial oder auch OCZ haben schon seit längerer Zeit SSDs auf Basis des günstigeren TLC-Speichers im Angebot, doch Intel hatte bisher auf entsprechende Laufwerke verzichtet. Dies könnte sich allerdings bald ändern, denn der Chipriese soll mit der SSD 540s entsprechende Laufwerke bereits in der Pipeline haben.</p>
<p>Laut den Informationen von Benchlife soll Intel als Basis den Controller SM2256 von Silicon Motion nutzen. Der Chip besitzt vier Speicherkanäle und kommt bereits bei der<a href="index.php/artikel/hardware/storage/37129-crucial-bx200-960-gb-mit-tlc-speicher-im-test.html" target="_blank"> BX200 von Crucial zusammen mit TLC-Speicher von Micron...<br /><br /><a href="/index.php/news/hardware/festplatten/38643-ssd-540s-intel-koennte-erstmals-tlc-speicher-verbauen.html" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>

 

[Holt]

Wenn die Gerüchte stimmen und NANDs von SK Hynix mit dem SM2256 kombiniert werden, wäre es wie bei der AData SP550 die Anandtech schon im Review hatte. Das könnte auch durchaus hinkommen, denn schon in der Intel Pro 2500 steckt NAND von SK Hynix und nachdem Intel im letzten Jahr seine Verkaufsoption auf die Anteile an IMFT nicht gezogen hat, steht 2018 Micron eine Call Option zu und Intel muss auch noch die Finanzierung dafür stellen damit Micron ihnen ihren Teil von IMFT abkaufen kann. Intel hatte sich ja schon nicht an dem 16nm NAND Prozess beteiligt, so ganz harmonisch scheint die Beziehung also nicht zu sein und mit Seagate hat Micron nun einen neuen, starken Partner an seiner Seite.

 

[oooverclocker]

Wieder mal eine traurige Entwicklung. In meinen Rechner kommt mir kein TLC. Aber Geiz ist halt geil

 

[Holt]

Gegen das 3D NAND TLC von Samsung von Samsung spricht nichts, da sind die Zellen ja sehr groß und fassen um Zehnerpotenzen mehr Elektronen als bei den planaren TLC NANDs und damit machen viel mehr Elektronen den Unterschied zwischen bei Ladungszuständen aus, was eine viel wichtigere Größe als die Anzahl der zu unterscheidenden Ladungszustände ist. Bei den 15nm NANDs von Toshiba ist nur noch von maximal so 20 Elektronen in einer Zelle die Rede, um da 4 oder gar 8 Ladungszustände zu unterschieden muss man die praktisch einzeln zählen. Wie es bei den 3D der anderen NAND Hersteller aussehen wird, muss man abwarten, die gehen da ja wohl teilweise unterschiedliche Wege.