Fujitsu

Neuartiger 32-nm-Transistor für 20 Prozent geringere Spannung

Auf dem derzeit in San Francisco stattfindenden "International Electron Device Meeting" (IEDM) hat, wie Golem berichtet, der japanische Konzern Fujitsu eine neue Bauweise und ein Fertigungsverfahren für Transistoren in 32-nm-Strukturbreite vorgestellt. Bei den aktuellen 45-nm-Prozessoren sind einige Teile der Schaltungen nur noch wenige Atomlagen dick. Aus diesem Grund kann die Spannung nicht stark gesenkt werden, da die Elektronen sonst nicht fließen würden. Um diesem Problem zu entgegnen, hat Intel beispielsweise die "High-k-Metal-Gates" eingeführt. Einen anderen Ansatz verfolgt das Unternehmen Fujitsu, welches auch als Vertragsfertiger beispielsweise SPARC-Prozessoren herstellt, für eine Strukturbreite von 32 nm. Laut Fujitsu ist die "Strained Silicon"-Technik ausgereizt, bei der durch ein "Strecken" des Siliziums die Beweglichkeit der Ladungsträger verbessert wird.Bei dem neuen Verfahren hat das Unternehmen die effektiv arbeitende Gitterstruktur durch eine nicht genannte Oberflächenbehandlung quer durch ein Bauteil gelegt. Dadurch konnte die Fläche vergrößert werden, obwohl die Größe des Bauteils verkleinert wurde.



Zusätzliche Verbesserung soll das Einbringen von Aluminium als Anschluss für den Transistor bringen. Dieses Aluminium soll den Widerstand zwischen Silizium und Siliziumoxid verringern.





Insgesamt soll durch das neue Verfahren und die neue Bauweise die Spannung um 20 Prozent gesenkt werden - bei gleicher Schaltgeschwindigkeit wohlgemerkt. Aus diesem Grund sieht Fujitsu nicht nur schnelle Prozessoren als mögliches Einsatzgebiet, sondern auch andere Chips, insbesondere für mobile Geräte.



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