Je kleiner die Strukturen werden desto offensichtlicher sind die physikalischen Einschränkungen. Zwar existieren bereits Testchips in 32 nm Strukturbreite, doch noch kleinere Strukturen sind mit den derzeitigen Belichtungsmethoden nicht möglich, da die Wellenlängen des genutzten Lichtes mit knapp unter 200 nm einfach zu lang sind. Aus diesem Grund forschen die Halbleiterhersteller an "Extreme Ultra-Violet Litography" (EUV). Bei diesem Verfahren kommen weiche Röntgenstrahlen zum Einsatz, die eine Wellenlänge von unter 20 nm haben und somit kleinere Strukturen ermöglichen. Zum ersten mal gelang es nun IBM mit einem sogenannten Wet-Tool und Röntgenstrahlen mit einer Wellenlänge von 13,5 nm die Verbindungen zwischen den einzelnen Transistoren eines 45 nm Chips herzustellen. Die Transistoren selbst wurden mit dem Serienverfahren und 193 nm Wellenlänge in Dresden hergestellt.Laut AMD und IBM ist dies der erste Chip, bei dem ein Layer mittels EUV hergestellt wurde. Die elektrischen Tests verliefen laut AMD positiv. Als nächstes sollen auch die Transistoren mit EUV hergestellt werden und danach mehrere Lagen. Erst wenn diese beiden weiteren Hürden genommen sind, können komplette Prozessoren mit EUV hergestellt werden. Bis 2016 wollen die Unternehmen das Verfahren zur serienreife bringen und Chips in 22 nm Strukturbreite herstellen. Für 45 und 32 nm wird noch kein EUV benötigt. Zu der Forschungsallianz gehören neben AMD und IBM zudem Chartered, Freescale, Infineon, Toshiba und Samsung.Weiterführende Links: