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IBM und AMD haben eine SRAM-Zelle in 22 nm Strukturbreite hergestellt

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IBM und AMD haben eine SRAM-Zelle in 22 nm Strukturbreite hergestellt
Noch warten die Kunden auf erste 45-nm-Prozessoren von AMD, da gewährt IBM bereits einen Ausblick auf die Zukunft und ließ verlauten, dass das Unternehmen erste funktionsfähige SRAM-Speicherzellen in 22-nm-Strukturbreite hergestellt habe. Diese SRAM-Zellen bestehen nur aus sechs Transistoren und werden häufig zum ersten Testen von Verfahren herangezogen. Erste Prozessoren in diesen Strukturbreiten werden nicht vor 2011 erwartet. Dennoch konnte das Forschungs-Konsortium bestehend aus AMD, Freescale, IBM STMicroelectronics, Toshiba und dem "College of Nanoscale Science and Engineering" (CNSE) erstmalig vor Intel einen solchen Erfolg bei einer Strukturverkleinerung erzielen. Im September letzten Jahres präsentierte Intel erste SRAM-Zellen in 32-nm-Strukturbreite, erste funktionsfähige Prototyp-Prozessoren in 32-nm-Strukturbreite könnten auf der IDF präsentiert werden. Dennoch soll es noch etwa ein Jahr dauern, bis Intel 22-nm-SRAM-Zellen präsentiert.Laut IBM ist auch das 32-nm-Fertigungsverfahren auf dem richtigen Weg. So verspricht der Hersteller, man werde eine "führende 32 nm high-K-metal gate Technologie" anwenden, die kein anderes Unternehmen oder Konsortium bieten könne. Es wird sich zeigen müssen, ob IBM und AMD wirklich vor Intel mit Produkten auf den Markt erscheinen werden.



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