NEWS

Qualcomms Schnellladestandard Quick Charge 4.0 kommt mit dem Snapdragon 835

Portrait des Authors


Qualcomms Schnellladestandard Quick Charge 4.0 kommt mit dem Snapdragon 835
5

Werbung

Einer aktuellen Umfrage von Global QCT Smartphone Consumer Research aus dem zweiten Quartal 2016 zufolge, ist die Akku-Laufzeit für viele Smartphone-Käufer einer der wichtigsten Gründe für die Neuanschaffung. 73 % der Befragten halten die Laufzeit für das wichtigste Feature. Auf Platz 3 folgt die Kapazität des Stromspenders, auf Rang 4 die Möglichkeit, den Akku binnen weniger Minuten bis Stunden komplett oder zumindest für annehmbare Laufzeiten zu laden. Erst danach kommen Argumente wie Displaygröße, Speicherausstattung, eine schnelle Datenverbindung oder die Auflösung.

Um den Ansprüchen gerecht zu werden, hat Qualcomm eine neue Generation seiner Schnellladetechnik Quick Charge angekündigt, welche kommende Smartphones noch schneller und effizienter laden soll. Sie wird zusammen mit dem kommenden Snapdragon 835 im Frühjahr 2017 erscheinen. Verbaut werden wird dieser vermutlich wieder von den Branchengrößen wie HTC, Xiaomi, LG, Motorola oder Sony.

Mit Quick Charge 4 soll der Smartphone-Akku gegenüber der letztjährigen Generation bis zu 20 % schneller und 30 % effizienter aufgeladen werden können. Außerdem soll der Akku deutlich kühler bleiben. Laut Qualcomm sollen fünf Minuten Ladezeit eine übliche Gerätenutzung von etwa fünf Stunden ermöglichen – Qualcomm spricht deswegen von "5 for 5". Konkret kann der Akku in etwa 15 Minuten auf einen Ladestand von 50 % gebracht werden. Im Vergleich zur ersten Generation arbeitet Quick Charge 4.0 damit 2,5 Mal schneller, gegenüber Quick Charge 3 konnte Qualcomm noch einmal 50 % obendrauf legen.

Möglich wird dies unter anderem durch eine neue Version von Negotiation for Optimum Voltage (INOV), einem Algorithmus der dafür sorgt, den benötigten Energiebedarf zu regulieren. Von ihm berücksichtigt wird erstmals die Temperatur, die in Echtzeit abgegriffen werden kann. Das verbessert neben der Effizienz die Sicherheit des Systems. Ebenfalls überwacht wird mit Quick Charge 4.0 das Kabel, das für 3 oder 5 A ausgelegt sein muss. Für den Einsatz muss nicht nur das Smartphone mit der Technik bestückt sein, auch das Netzteil muss die Technik unterstützen. Die vierte Generation soll wie bisher abwärtskompatibel sein. Während Quick Charge 3 auf 18 W kommt, kann mit der neuen Version ein Ladestrom von bis zu 36 W bei maximal 20 V erreicht werden. Außerdem setzt Quick Charge 4.0 auf USB Typ-C und USB PD.

Snapdragon 835 wird von Samsung gefertigt

Quick Charge 4 soll zusammen mit dem Snapdragon 835 in den ersten Smartphones zum Einsatz kommen. Das neue SoC wird das bisherige Flaggschiff, den Snapdragon 820 und 821, ersetzen und voraussichtlich in der ersten Jahreshälfte 2017 in den ersten Geräten verbaut werden. Während man bislang auf das 14-nm-FinFET-Fertigungsverfahren setzt, soll die nächste Generation im fortschrittlichen 10-nm-Prozess bei Samsung gefertigt werden, wie man im Rahmen der Ankündigung von Quick Charge 4 bekannt gab. Das neue Fertigungsverfahren soll die Leistungsaufnahme drücken und damit bei weiter verbesserter Performance die Effizienz steigern.

Zu guter Letzt kündigte Qualcomm sein eigenes Vulnerability-Reward-Programm an. Sollten Hacker innerhalb der Snapdragon-Plattform, den LTE-Modems und anderen Techniken Sicherheitslücken entdecken und diese melden, sollen sie mit bis zu 15.000 US-Dollar belohnt werden.

Quellen und weitere Links KOMMENTARE (5) VGWort