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Samsung hat die Massenproduktion von eUFS-Speicher mit einer Kapazität von 512 GB bekanntgegeben. Damit bieten die Bausteine doppelt soviel Kapazität als der Vorgänger und ermöglicht den Herstellern von mobilen Geräten mehr Speicherplatz auf weniger Raum zu verbauen. Für den internen Speicher von 512 GB muss damit nur noch ein Baustein verlötet werden. Dies spart Platz auf der Platine, welcher für andere Komponenten oder einen auch einen größeren Akku genutzt werden kann.
Um die hohe Kapazität zu erreichen, wird Samsung auf das sogenannte gestapelte Verfahren setzen. Samsung nennt die Technik V-NAND, während andere Hersteller vom 3D-NAND sprechen. Dabei werden mehrere Speicherlagen aufeinandergesetzt. Samsung verbaut laut eigenen Angaben insgesamt 64 Speicherlagen bei der neusten Genertation. Ebenfalls mit im Package untergebracht ist der dazugehörige Controller. Dadurch ergibt sich dann die Gesamtkapazität von 512 GB pro Chip. Zum Vergleich: Der Vorgänger mit 256 GB wurde noch mit 48 Speicherlagen produziert.
Bei der Geschwindigkeit spricht Samsung von bis zu 820 MB/s beim Lesen der Daten. Geschrieben wird hingegen mit bis zu 255 MB/s. Diese Transferraten dürfte für alle aktuelle Smartphones ausreichen, obwohl der UFS-Standard noch höhere Geschwindigkeiten ermöglichen würde.
Erst vor wenigen Tagen hatten wir berichtet, dass auch Toshiba eine neue Generation seines UFS-Speichers vorgestellt hat. Der Kontrahent bietet jedoch maximal 256 GB Kapazität pro Chip bei ebenfalls 64 Lagen und liegt damit hinter Samsung.