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Bereits gestern kündigte Samsung, als führender Hersteller von Halbleiter-Speicher, den Start der Massenproduktion von 4-Gigabit-DDR3-Chips in 40-nm-Fertigung an. Dank des kleinen Herstellungsprozess und der hohen Datendichte sollen Speichermodule auf Basis der neuen Mikrochips vor allem den Stromverbrauch bei Einsatz in Servern und High-End-Notebooks verringern. Ein 16-Gigabyte-Modul ermögliche demnach eine Energieeinsparung von 35 Prozent gegenüber der Vorgänger-Generation auf Basis von 2-Gigabit-Chips. Die maximale Kapazität eines RDIMM-Moduls für Server soll bei 32 GB liegen, während SoDIMMs für Notebooks bis zu 8 GB erreichen. Dabei soll DDR3-Speicher mit 1,5 Volt und Low-Power-DDR3 mit 1,35 Volt unterstützt werden. Samsung verkündet weiter, dass man mehr als 90 Prozent seiner kompletten DDR-DRAM-Produktion auf den 40-nm-Prozess umstellen wolle um seinen Kunden kosten- und energieeffiziente Produkte anbieten zu können. Die ersten Produkte mit den neuen Speicherchips dürften bald erscheinen.
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