Werbung
Nachdem Samsung bereits Ende März die Auslieferung von Samples seiner 32-GB-DDR3-Module ankündigte, deren enorme Kapazität durch 4-Gigabit-Speicherchips erzielt wurde, zieht das japanische Unternehmen Elpida nun nach. Per Pressemitteilung kündigte man den Abschluss der Entwicklung von 4-Gigabit-DDR3-SDRAM an - die bis dato höchste Speicherdichte von DDR3-DRAM in der Industrie. Die Speicherchips werden dabei im 40-nm-CMOS-Verfahren hergestellt, wie auch bei Samsung der Fall. Auf Basis der neuen Chips werden DDR3-Module mit bis zu 32 GB Kapazität ermöglicht. Für den Endkundenmarkt sind DIMMs und SO-DIMMs mit 8 GB geplant. Die maximale Datentransferrate beträgt 1600 Mbps und die Versorgungsspannung soll bei 1,35 Volt oder dem bisherigen Standard von 1,5 Volt liegen. Gegenüber zwei herkömmlichen 2-Gigabit-Chips (DDR3 SDRAM, 40 nm) soll ein 4-Gigabit-Chip von Elpida etwa 30 Prozent weniger Energie benötigen.
Innerhalb des zweiten Quartals 2010 will Elpida Sample-Chips auf Basis der neuen Technologie ausliefern und im dritten Quartal mit der Massenproduktion beginnen. Samsung plante hingegen bereits im April die Volumenfertigung seiner 4-Gigabit-Chips zu starten.
Weiterführende Links: