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Wie der DRAM-Hersteller Elpida via Pressmetteilung meldet, werden aktuell die ersten Muster eines schnelleren RAM-Bausteins für mobile Geräte verschickt. Der Speicher wird in einem 30-Nanometer-Verfahren gefertigt und soll sowohl eine niedrige Leistungsaufnahme, wie auch eine schnelle Datenübertragung bieten. Der Hersteller setzt bei dem Baustein auf ein 512-Bit-Interface und damit ist dieses deutlich größer als bei den bisher verwendeten Speichern mit 32 Bit. Bei einer Taktfrequenz von gerademal 200 MHz kann so eine Geschwindigkeit von bis zu 12,8 GB/s erreicht werden. Zum Vergleich: Die identische Übertragungsrate bietet auch ein DDR3-Modul mit 1600 MHz aus dem Desktop-Bereich.
Neben den neuen "Wide I/O"-Chips stellt das Unternehmen den Herstellern aber auch noch einen anderen Baustein mit dem LPDDR3-Standard zur Auswahl. Dieser Chip besitzt nur ein32-Bit-Interface, arbeitet aber mit 1600 MHz und somit kann ein einzelner Chip bis zu 6,4 GB/s erreichen. Da aber immer zwei Chips miteinander kombiniert werden, kann diese Variante ebenfalls die hohe Transferrate von 12,8 GB/s erreichen, aber nur bei einem deutlich höheren Takt als noch bei der Wide I/O-Variante.
Bisher werden die beiden Varianten nur als 4-Gbit-Chips an die verschiedenen Hersteller versendet. Der nächste Schritt sieht vor, dass mehrere Chips in einem Gehäuse vereint werden und dadurch auch 8- respektive 16-Gbit-Chips gebaut werden können.
Weiterführende Links:
- Quelle: Pressemitteilung
- Elpida
- Forum: Speicher