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Mit DDR4 steht bereits die nächste Generation des DDR-Speichers in den Startlöchern. 2013 sollen erste Anfänge der Produktion beginnen, doch mit breiter Verfügbarkeit wird frühestens im Jahr 2014 gerechnet. DDR4 soll schneller und etwa 40 Prozent energieeffzienter werden als sein Vorgänger. Erste Produkte wurden bereits von Samsung und Hynix auf der ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) vorgestellt. Der Arbeitsspeicher-Hersteller Hynix zeigte zuerst ein DDR4-Modul, welches mit 2400 MHz getaktet war und mit einer Spannung von nur 1,2 Volt betrieben wurde.
Als zweites zeigte Samsung seine neueste Innovation: Der Arbeitsspeicher taktete mit 2133 MHz, was ebenfalls mit einer Spannung von 1,2 Volt erreicht wurde. Im Vergleich braucht DDR3 hier Spannungen um die 1,3 bis etwa 1,5 Volt. Während Hynix noch in 38 nm fertigte, war der Technik-Gigant Samsung bereits bei einer Fertigung von 30 nm angekommen.
Weitere Hersteller zeigten noch keine Prototypen ihrer Entwicklungen, da es noch keinen Druck gibt, den alten DDR3-Standard abzulösen und die Produkte sowieso noch nicht in kürzerer Zeit verfügbar sein werden.