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AMD arbeitet mit SK Hynix an Stacked Memory

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AMD arbeitet mit SK Hynix an Stacked Memory
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Der kalifornische Chipdesigner Advanced Micro Devices arbeitet zusammen mit dem südkoreanischen Halbleiterproduzenten SK Hynix an sogenannten HBM (High Bandwith Memory). Diese Speicherart soll vor allem die Leistung der AMD-eigenen APUs deutlich steigern, denn heutzutage wird die Grafikleistung der Prozessoren vor allem durch die geringe Bandbreite des DDR3-Hauptspeichers limitiert.

Beim HBM-Speicher, der auch gerne als 3D-RAM bezeichnet wird, werden einfach DRAM-Chips übereinander gestapelt was die Performance dieser erheblich verbessern soll. Es sollen bereits funktionstüchtige Prototypen im Umlauf sein und auch die JEDEC könnte diese Speicher-Variante bald spezifizieren, was bedeutet dass die beiden Unternehmen bald schon in die finale Entwicklungsphase eintreten können. Dies würde bedeuten, dass AMD recht bald, also spätestens mit den Nachfolger-APUs der für Januar angekündigten Kaveri-APUs diese Technologie einsetzen könnte.

AMD SKHynix Stacked RAM

Intel geht derweilen einen anderen Weg und verlötet aktuell bei seiner "Iris Pro"-Grafik einen eigenen EDRAM auf dem Träger, um die Performance seiner in die Haswell-Prozessoren integrierten Grafik zu steigern. Damit schafft es Intel zur Top-APU von AMD aufzuschließen, wobei diese jedoch ganz ohne solche Hilfsmittel auskommt.

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