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Auch im Bereich des mobilen Arbeitsspeichers für Smartphones und Tablets gibt es Neuigkeiten zu vermelden. So sind Samsung und SK Hynix derzeit damit beschäftigt, die nächste Generation einzuläuten. Es geht nun ebenfalls in Richtung DDR4-Speicher, genau wie im Desktop-Segment. Im Detail wurde die Entwicklung eines 8 GBit (1 GB) großen LPDDR4-Speicherchips (Low Power) angekündigt. Die Strukturbreite soll jedoch vorerst bei 20 nm bleiben. Dabei hat Samsung angegeben, dass der Chip vom LVSTL-I/O-Interface (Low Voltage Swing Terminated Logic) Gebrauch macht, wodurch die Effizienz ein gutes Stück verbessert werden soll.
Die benötigte Spannung soll mit lediglich 1,1 Volt spezifiziert sein. In Sachen Frequenzen sind effektive 3200 MHz angedacht, was demnach 1600 MHz Realtakt bedeuten würde. Die Hauptkunden werden zuvor mit ersten Samples versorgt, bevor die Massenproduktion im zweiten Halbjahr 2014 beginnt, so SK Hynix. Im Vergleich zum LPDDR3-Speicher versprechen sich beide Firmen eine Leistungssteigerung von 50 Prozent, währenddessen die Leistungsaufnahme um etwa 40 Prozent sinken soll. Durch die Reduzierung von 1,2 Volt auf nun 1,1 Volt wird sich zeigen müssen, ob diese Werte auch tatsächlich erreicht werden können.
Der neue LPDDR4-Speicher wird laut Samsung bereits in diesem Jahr, vorwiegend in High-End-Modellen, zum Einsatz kommen. Die generelle Verbreitung des LPDDR4-Speichers durch die Smartphone- und Tablet-Hersteller wird laut SK Hynix jedoch erst im Jahr 2015 erfolgen. Ferner fügte das Unternehmen hinzu, dass sich der LPDDR4-Speicher erst im darauffolgenden Jahr, also 2016, grundlegend etabliert haben wird.