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Wer seinen „Haswell-E“-PC mit voller Speicherbestückung betreiben will, ist derzeit auf DDR4-Module mit maximal 16 GB beschränkt - in Kombination mit den meisten Mainboards resultiert daraus eine Gesamtkapazität von 64 GB. Zwar haben einige Hersteller bereits Module mit höherer Kapazität in Aussicht gestellt, vor Mitte 2015 sollen diese den bisherigen Planungen zufolge aber nicht verfügbar werden.
Etwas früher könnte nun Samsung zum Zug kommen. Denn wie der Konzern mitteilt, hat die Halbleitersparte mit der Produktion von DDR4-Speicherbausteinen mit 8 Gigabit im 20-nm-Verfahren begonnen. Gleichzeitig wurde bereits vor einigen Tagen die Fertigung der ersten entsprechend bestückten Module gestartet. Zunächst beschränken sich die Südkoreaner dabei auf 32-Gigabyte-Modelle vom Typ PC4-19200U mit einem Takt von 2.400 MHz. Prinzipiell sind auch Module mit 128 Gigabit umsetzbar, deren Produktion soll jedoch zu einem späteren Zeitpunkt starten.
Offen ist, ab wann die größeren DDR4-Module verfügbar sein werden - und ob diese dann auch problemlos im Handel verfügbar sind. Denn zumindest vorerst plant Samsung den Einsatz der neuen Modelle lediglich im „Premium Enterprise“-Bereich. Allerdings listen einige Händler die ebenfalls nur für den Enterprise-Einsatz gedachten 16-Gigabyte-Module des Herstellers. Abzuwarten bliebe auch, zu welchen Preisen die 32-Gigabyte-Riegel angeboten werden. Für Kit-Lösungen der gleichen Kapazität werden derzeit etwa 350 Euro verlangt, ein einzelnes Modul dieser Größe dürfte jedoch weitaus teurer werden.
Möglich wird die Herstellung der neuen 8-Gigabit-Chips durch den Einsatz der „3D TSV“-Technik. Hinter dieser steckt das Stapeln mehrerer Lagen von Speicherzellen, allerdings mit zusätzlichen Kontakten zwischen diesen. Verwendung findet das Verfahren in ähnlicher Form auch bei den SSDs der 850-Pro-Reihe.