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Samsung hat just am heutigen Tage bestätigt, dass der Konzern aus Südkorea die weltweit ersten DDR4-RAM-Module mit 128 GB Kapazität und TSV-Technik ("Through Silicon Via) in der Massenproduktion fertigt. Gamer sollten sich nun allerdings nicht die Hände reiben, denn die Module mit der enormen Speicherkapazität richten sich an den Markt für Geschäftskunden. Samsung selbst rühmt sich nun "die höchsten Kapazitäten und die höchste Energieeffizienz aller aktuell erhältlichen DRAM-Module" erreicht zu haben.
Samsungs ausführender Vizepräsident für den Bereich Speicher-Verkauf und -Marketing, Joo Sun Choi, prophezeit, dass die neuen TSV-DRAM-Module mit 128 GB Partnern erlauben, völlig neue Enterprise-Lösungen zu entwickeln. Die neuen Module nutzen jeweils 144 DDR4-Chips, welche in 36 Blöcken mit 4 GB DRAM angeordnet sind. Jene enthalten wiederum jeweils vier Chips mit 8 Gbit aus dem 20-nm-Verfahren. Dank des TSV-Verfahrens können die einzelnen Chips platzsparender und effizienter miteinander verbunden werden. Zusätzlich setzt Samsung auf ein spezielles Design, bei dem der Master-Chip der jeweiligen 4-GB-Blöcke die Data-Buffer-Funktion einbettet, um sowohl die Performance als auch den Stromverbrauch zu optimieren.
Laut Samsung sei das Ergebnis eine energieffiziente DDR4-Lösung mit Geschwindigkeiten von bis zu 2.400 Mbps. Der Hersteller erklärt, man erreiche nahezu die doppelte Leistung bei einer um 50 % gesenkten Leistungsaufnahme im Vergleich zu den zuvor am üppigsten ausgestatteten LRDIMMs mit 64 GB. Das sei erst durch Samsungs TSV-Verfahren möglich.
Für die nahe Zukunft verspricht Samsung nun weiteren, leistungsfähigen TSV-DDR4-RAM in unterschiedlichen Kapazitäten und auch mit höheren Geschwindigkeiten von 2.667 oder gar 3.200 Mbps. Auf diese Weise wolle man den Bedürfnissen von Geschäftskunden und Betreibern von Enterprise-Servern entgegenkommen. Zugleich wolle man die TSV-Techniken für HBM-Speicher und Lösungen für Privatkunden einsetzen.