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Samsung hat den Start der Massenproduktion von DDR4-Chips im 10-nm-Prozess bekanntgegeben. Die DRAM-Chips bieten laut Samsung eine Kapazität von 8 Gigabit und werden, ähnlich wie die 3D-NAND-Chips, gestapelt hergestellt. Samsung ist laut eigenen Angaben der erste Hersteller, der Chips aus dem 10-nm-Prozess im großen Stil produziert. Die Kontrahenten SK Hynix und auch Micron sollen die 10-nm-Produktion erst zu einem späteren Zeitpunkt in diesem Jahr starten.
Bei den technischen Daten gibt Samsung an, dass die neuesten DDR4-Chips mit bis zu 3.200 MBit/s arbeiten sollen und somit 30 % mehr Leistung besitzen als die vorherige Generation aus dem 20-nm-Prozess. Zudem sollen die Arbeitsspeichermodule mit 10-nm-DDR4-Bausteinen zwischen 10 und 20 % weniger Energie benötigen, womit auch die Effizienz gesteigert werden konnte. Außerdem sei es Samsung gelungen, dass die Ausbeute bei der Produktion pro Wafer nun höher ausfällt. Demnach sei die Yield-Rate im Vergleich zum 20-nm-Prozess nun um bis zu 30 % höher, wodurch Produktionskosten gespart und Verkaufspreise gedrückt werden können.
Die neuen DDR4-Chips aus dem 10-nm-Prozess sollen vorerst nur in Computern und Servern zum Einsatz kommen. Module für mobile Geräte, wie zum Beispiel Notebooks, werden laut Samsung erst zu einem späteren Zeitpunkt im Jahr folgen.