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Samsung Electronics will die Produktion von 3D DRAM radikal ausbauen. Wie ET News berichtet, plant der Technologiekonzern die Produktionskapazität um den Faktor 30 zu erhöhen.
Bereits nächstes Jahr soll die Konzerntochter Samsung Semiconductor jeden Monat eine Million Speicherchips vom Typ HBM2 und 3DS DRAM produzieren, 30 mal mehr als zur Zeit gefertigt werden. Die Halbleitertochter hat laut Quellen vor kurzem 20 sogenannte Thermo-Compression Bonder bestellt, mit denen Speicherchips übereinander gestapelt und verbunden werden. Laut ET News sollen die neuen Anlagen leistungsfähiger sein als Samsung Semiconductors bestehende TC-Bonder.
High Bandwidth Memory (HBM) und 3DS-DRAM-Speicher wird in Grafikkarten und CPUs respektive Server verwendet. Samsung erwartet anscheinend eine stark steigende Nachfrage seitens Firmen wie NVIDIA, Intel, AMD, Google und weiteren,ET News geht hier von einer Beschleunigung von Künstlicher Intelligenz und digitalen Assistenten aus.
Zudem soll Samsung bald mit der Massenproduktion von neuartigen Kamerachips für Smartphones beginnen. DRAM-Speicher, Chip und CMOS-Bildsensor sollen dabei gestapelt und verbunden werden. Eine derartige Lösung soll es erlauben, 1,000 Einzelbilder pro Sekunde mit einem Smartphone zu schießen, weitaus mehr als derzeit mit Zeitlupenvideos aufgenommen werden.