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Samsung hat die Massenproduktion von DDR4-Bausteinen der zweiten Generation gestartet. Das südkoreanische Unternehmen spricht in seiner Pressemitteilung zwar vom 10-nm-Prozess, jedoch werden die Speicherchips vom Hersteller in die Klasse zwischen 10- und 19-nm zusammengefasst. Somit kann die genaue Strukturbreite der DDR4-Chips aus der zweiten Generation nicht beziffert werden.
Die DDR4-Bausteine werden eine Kapazität von 8 Gigabit je Chip bieten und sollen sich gegenüber dem Vorgänger vor allem durch eine höhere Leistung bei gleichzeitig weniger Energiebedarf auszeichnen. Die Leistung soll durch die verbesserte Produktion um bis zu 15 % höher ausfallen. Konkret sollen pro Pin nun bis zu 3.600 Mbit/s möglich sein, während der Vorgänger es auf 3.200 Mbit/s geschafft hat. Auch beim Energiebedarf sei eine Einsparung zwischen 10 und 15 % erreicht worden.
Neben den verbesserten Leistungswerten soll auch die Produktionsausbaute höher ausfallen. Samsung spricht davon, dass 30 % mehr Chips in der gleichen Zeit vom Band laufen können. Damit steigt die Produktionskapazität, womit die aktuelle Nachfrage besser bedient werden soll.
Durch die zweite Generation des DDR4-Speichers habe Samsung schon die Grundlagen für die kommenden Generationen gelegt. Samsung spricht davon, dass dadurch die Markteinführung von DDR5, HBM3, LPDDR5 und GDDR6 nun schneller erfolgen könne. Weitere Angaben machte man an dieser Stelle jedoch nicht.