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Samsung hat neuen SO-DIMM vorgestellt, der eine Kapazität von 32 GB vorzuweisen hat. Laut Samsung basiert der Speicher auf einer 10-nm-Class-Prozesstechnologie – genauer führt der Hersteller dies nicht aus. Bei 10-nm-Class handelt es sich um eine Prozess-Node zwischen 10 und 19 nm. Die bisherigen Chips mit jeweils 8 GBit Kapazität fertigte Samsung in 18 nm, die neuen 16-GBit-Chips werden einen kleinen Shrink erfahren haben.
Die DDR4-SO-DIMMs sind jeweils acht Chips auf der Vorder- und Rückseite bestückt. Darauf ergeben sich die 32 GB für eine SO-DIMM-Modul. In einem Notebook mit zwei SO-DIMM-Steckplätzen ergibt sich daraus eine Gesamtkapazität von 64 GB. Für den Takt gibt Samsung bis zu 2.666 MHz an, was in Notebooks sowohl für Prozessoren von AMD und Intel ausreichend ist. Neben der erhöhten Kapazität und Geschwindigkeit (16-GB-Module kamen auf 2.400 MHz) sieht Samsung auch Vorteile beim Stromverbrauch. Zwei 32-GB-Module sollen auf 4,6 W unter Last und 1,4 W im Idle-Betrieb kommen, was eine Reduzierung um 39 bzw. 25 % gegenüber den 16-GB-Modulen entsprechen soll.
Der 10-nm-Class-DRAM, der hier zum Einsatz kommt, wird auch auf anderen Speicherprodukten zum Einsatz kommen. Als 16-GBit-LPDDR4, 16-GBit-GDDR5 und 16-GBit-DDR4 spielt der Speicher für das Mobile Computing, Grafikkarten, PCs und Server eine Rolle. Neben den SO-DIMMs ist die Verdopplung der Speicherkapazität natürlich vor allem für Server wichtig.
"Unsere 32GB-DDR4-DRAM-Module ermöglichen beeindruckende Spieleerlebnisse auf Laptops mit noch nie da gewesener Intensität," sagt Sewon Chun, Senior Vice President of Memory Marketing bei Samsung Electronics. "Wir werden auch in Zukunft das am weitesten entwickelte DRAM-Produktportfolio mit höherer Geschwindigkeit und Speicherkapazität für alle bedeutenden Marktsegmente einschließlich Premium-Laptops und PCs anbieten."
Wann die entsprechenden Speicherprodukte im Handel sein werden, gibt Samsung nicht an.