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Samsung gehört weltweit zu einer der größten Hersteller für DRAM- und NAND-Bausteinen. Wie das südkoreanische Unternehmen mitteilt, werde man schon bald die DRAM-Produktion mit einer feineren Strukturbreite verbessern. Aktuelle setzt Samsung bei der Produktion der Bausteine noch auf die 1y-Klasse, doch noch im Laufe des zweiten Halbjahres 2019 soll der Schritt zur 1z-Klasse erfolgen.
Samsung hat bereits vor einiger Zeit die Bezeichnung für die genutzte Strukturbreite verändern. Der Hersteller gibt keine genauen Größen mehr an, sondern spricht lediglich von Klassen. Damit ist es nicht möglich, von der 1z-Klasse auf eine bestimmte Strukturbreite zu schließen. Jedoch gibt Samsung an, einer der ersten Hersteller der 1z-Klasse für DRAM zu sein. Damit scheint das Unternehmen bei der Herstellung einen besonders feinen Produktionsprozess einzusetzen, verzichtet allerdings auch weiterhin auf die EUV-Technik.
Durch den Startschuss der 1z-Klasse soll die Leistung der DRAM-Bausteine weiter ansteigen. Wie hoch allerdings die Geschwindigkeit der ersten DRAM-Bausteine aus der 1z-Klasse ausfallen wird, lässt man noch offen. Samsung gibt lediglich an, dass sich die Chips an den High-End-Markt richten. Zum Start wird das Unternehmen Chips mit einer Kapazität von 8 GBit produzieren. Größere Kapazitäten sind erst zu einem späteren Zeitpunkt geplant.
Wie bereits erwähnt, wird die Produktion der 1z-Klasse im Laufe des zweiten Halbjahres 2019 hochgefahren. Wann die ersten Chips allerdings auch ausgeliefert werden, hat Samsung offen gelassen.