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Im Frühjahr kündigte sich an, dass Samsung die Fertigung der beliebten B-Die-Speicherchips einstellen wird. Sind die Lager geleert, werden auch die Arbeitsspeicher-Hersteller irgendwann keine entsprechenden Module mehr anbieten können. Zuletzt präsentierte G.Skill neue 64-GB-Kits mit DDR4-4300 CL19 und DDR4-4000 CL16, die auf die B-Dies zurückgreifen.
Die Einstellung der Fertigung der B-Dies begründet Samsung damit, dass man die Fertigung von 20 nm auf kleinere Strukturbreiten umstellen möchte. Dementsprechend deuteten sich schon die Nachfolger alias M-Die und A-Die an. Die in 1y nm (1y-Klasse) gefertigten M-Dies befinden sich bereits in der Massenproduktion und sind auch schon im Handel erhältlich. Die A-Dies sollen im ersten Quartal 2019 die Qualifikationsphase erreicht haben.
Neben der kleineren Strukturbreite ist einer der Vorteile der neuen Chips die Tatsache, dass sie die doppelte Kapazität erreichen können. Durch den Wechsel der Fertigung von 20 auf 1y nm sollen die Chips außerdem höhere Taktraten erzielen können. Damit möglich werden Module mit einer Kapazität von 16 GB Single-Sided, 32 GB Double-Sided sowie große Single-Sided-Module mit 32 GB. Die A-Dies verwenden sogar die Fertigung in 1z nm (1z-Klasse). Darüber hinaus gibt es aber keine technischen Daten.
Mit den M378A4G43AB2-CVF von Samsung sind nun die ersten Module im Handel aufgetaucht, die auf die A-Dies setzen. Sie haben eine Kapazität von 32 GB, arbeiten aber noch mit einer geringen Taktung von DDR4-2933 und Timings von CL21-21-21.
Nach den B-Dies aktuell am ehesten im Fokus stehen die E-Dies von Micron und die C-Dies von SK Hynix. Einen heißen Kandidaten für die äußerst erfolgreichen B-Dies hat man aber noch nicht gefunden.
Danke für den Hinweis an unseren Nutzer Reous.
Update:
Unser Community-Mitglied Reous hat zwei OEM-DIMMs mit Samsung 16Gbit A-Die erstehen können und erste Tests gemacht. Dabei ließen sich die Module problemlos bis DDR4-3800 bei Timings von CL18-22-22 und einer Spannung 1,35 V betreiben. Weitere Tests dazu stehen noch aus.