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Samsung hat angekündigt, dass man mit der Massenproduktion von DRAM für zukünftigen DDR5-Speicher begonnen hat. Die Fertigung erfolgt in 14 nm mittels EUV und damit gehört sie laut Samsung zur modernsten Fertigung im DRAM-Bereich.
Dazu muss man wissen, dass die Namensgebung der Fertigung im DRAM/NAND-Bereich etwas anders verläuft, als dies bei Prozessoren und GPUs der Fall ist. DRAM-Chips wurden und werden in 1x, 1y, 1z und 1a gefertigt. 1a beschreibt dabei die nun in die Massenfertigung übernommenen 14 nm mit EUV. Auf 1a werden in den kommenden Jahren 1b und 1c folgen, bevor es dann in den Stufen mit 0a, 0b, 0c, ... weitergeht. Laut Samsung wird beim DRAM in 1a eine um 20 % geringere Leistungsaufnahme bei zugleich 20 % höherer Packdichte erreicht.
Der nun von Samsung gefertigte Speicher hat eine Kapazität von 16 Gigabit (2 GB) und ist für Geschwindigkeiten von 7,2 Gbps ausgelegt. Damit wäre DDR5-7200 möglich. Losgehen wir des im Serverbereich mit DDR5-4800. Für die Alder-Lake-Prozessoren werden die Speicherhersteller aber auch schon etwas höher greifen – außerhalb der JEDEC-Spezifkationen.