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Auf dem Investor Meeting 2022 Mitte Februar sprach Intel zwar über die Zukunftspläne für sein Xeon-Server- und Core-Prozessoren, das Thema Optane-Speicher wurde aber vollständig ignoriert. Dies führte dazu, dass erneut über eine Einstellung des kompletten Geschäftsbereichs spekuliert wurde.
Befeuert wurden die Gerüchte durch eine Aussage von Intels CEO Pat Gelsinger, der offenkundig kein großes Interesse daran hat, dass Intel im Speichergeschäft bleibt:
"I never want to be in memory, you see I’m doing everything I can to exit our memory businesses in that regard."
Erst kürzlich verkaufte Intel das SSD-Business an SK-hynix-Tochter Solidigm. Das Joint Venture für die Entwicklung des Optane-Speichers (3DXPoint) wurde bereits vor geraumer Zeit eingestellt, sodass Intel hier nun alleine dasteht. Da die Gerüchte nicht abreißen wollten, äußerte sich Intel auf Nachfrage wie folgt:
"We continue to work closely with customers and partners on memory and storage technologies, including enabling our third-generation Optane Products with Sapphire Rapids. In addition, we are enabling the ecosystem to be ready for key technologies such as memory tiering over CXL."
Die dritte Generation des Optane-Speichers soll also wie geplant zusammen mit der nächsten Xeon-Generation vorgestellt werden. Für die Speichererweiterung via Compute Express Link (CXL) soll Optane ebenfalls eine entscheidende Rolle spielen.
Auf der "Storage Field Day"-Konferenz sprach Intel (Video #1, #2, #3) nun über die weiteren Pläne im Zusammenhang mit CXL und daraus geht auch hervor, dass es nach der dritten Generation (Crow Pass) auch noch eine Vierte (Donahue Pass) geben wird.
Intel sieht den Optane DC Persistent Memory noch immer als Schnittstellen zwischen DRAM und den SSDs. Niedrigere Latenzen als SSDs und günstigerer Preis pro Gigabyte als beim Arbeitsspeicher sind dabei die ausschlaggebenden Argument für den Optane-Speicher. Im Rahmen unseres Tests zweier Xeon Platinum 8380 haben wir uns die Leistung des Optane Persistent Memory 200 angeschaut.
Aktuell ermöglicht Intel den Einsatz des Optane DC Persistent Memory parallel zum DRAM. Pro Speicherkanal kann hier bisher ein Modul mit DDR4-Speicher und eines mit Optane-Speicher in den Server gesteckt werden. Somit ist ein Speicherausbau von bis zu 8 TB pro Sockel möglich, was rein über den Ausbau mit DDR4 nicht möglich gewesen wäre. Für die kommende Xeon-Generation mit DDR5-Speicher stellt sich das Bild etwas anders da, bisher hat Intel die Sapphire-Rapids-Prozessoren aber noch nicht offiziell vorgestellt und so kennen wir diese Details auch noch nicht. DDR5 wird im Serverbereich größere Kapazitäten pro Modul ermöglichen. Dennoch wird der Optane DC Persistent Memory hier weiterhin eine Steigerung der Kapazität und eine Reduzierung der Kosten ermöglichen können.
Neben dem direkten Betrieb am integrierten Speichercontroller des Prozessors wird Optane DC Persistent Memory mit CXL aber weitreichendere Einsatzmöglichkeiten bekommen. CXL-Speicherpools nehmen diesen Speicher auf und binden ihn per CXL an die Rechenknoten an. Dieser Speicher steht kohärent den Prozessoren und Rechenbeschleunigern zur Verfügung.
Mit der Veröffentlichung der Sapphire-Rapids-Prozessoren erwarten wir uns weitere Details zum Einsatz der Optane DC Persistent Memory der dritten Generation. Diese dürfte im April oder Mai erfolgen.