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Micron hat bekannt gegeben, dass man die ersten Qualification-Samples des nach eigener Aussage "modernsten DRAM" ausgeliefert habe. LPDDR5X mit bis zu 3.200 MT/s werde momentan an die ersten Smartphone-Kunden ausgeliefert. Die Besonderheit stellt die Fertigung dar, denn Micron geht nach 1α (1-alpha) nun den Schritt zu 1β (1-beta), verzichtet jedoch weiterhin auf die Nutzung von EUV. Stattdessen kommt das bewährte Multi Patterning, also eine Mehrfachbelichtung, zum Einsatz. Auch die zweite Generation der HK Metal Gates (HKMG) wird von Micron eingesetzt.
Anders als bei den Prozessoren und Grafikkarten bezeichnen die Speicherhersteller ihre Fertigungsschritte nicht nach Angabe einer zugegeben eher schwammigen Nanometer-Angabe, sondern haben hier häufig eigene Bezeichnungen. Nachdem das griechische Alphabet bei Micron komplett durchlaufen war, fing man mit 1α wieder von vorne an. Für 1β spricht Micron allerdings nicht mehr von einer "10nm class" und damit dürfte man sich inzwischen weit unterhalb dieser halbwegs vergleichbaren Größe bewegen.
Die Vorteile des in 1β gefertigten DRAM sollen vor allem in einer um 15 % höheren Effizienz liegen. Dies wird aber nicht ausschließlich durch eine kleinere Fertigungsgröße erreicht, sondern vor allem durch die Nutzung einer Technik namens eDVFSC (Enhanced Dynamic Voltage and Frequency Scaling Control), die nun für Transferraten von bis zu 3.200 MT/s funktioniert. Bisher nutze Micron eDVFSC bei LPDDR5X von Micron nur bis 1.600 MT/s. Die bis zu 3.200 MT/s für den Speicher sind ebenfalls für Smartphone-SoCs wichtig, da hier häufig nicht besonders breite Speicherinterfaces eingesetzt werden. Je schneller der einzelne Speicher ist, desto höher die Speicherbandbreite.
Seitens Micron von Vorteil ist die um 35 % höhere Transistordichte. Die DRAM-Chips mit einer Kapazität von 16 GBit lassen sich also dichter auf dem Wafer packen, bzw. es lassen sich mehr Chips pro Wafer unterbringen, was die Kosten für Micron reduziert.
Die höhere Effizienz des LPDDR5X auf Basis des 1β-DRAM soll sich vor allem beim Einsatz zusammen mit Smartphone-SoCs auszahlen. Nach LPDDR5X soll ab 2023 dann DDR5 auf Basis des 1β-DRAM folgen. Auch weitere Speicherkategorien (zum Beispiel HBM und GDDR) sollen die neuen Chips nutzen.
Aktuell haben die Speicherhersteller mit einem starken Umsatzrückgang zu kämpfen. Der Verzicht auf EUV für den 1β-DRAM dürfte sich für Micron eventuell auszahlen, da man die hohen Kosten für eine Umrüstung auf EUV umgehen konnte. Die Serienproduktion wird zunächst in Microns Fabrik im japanischen Hiroshima beginnen. Danach will Micron weitere Fabs umrüsten.