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Nachdem Micron im vergangenen Jahr die Massenproduktion des neuen DRAMs in 1β-DRAM für LPDDR5X mit bis zu 3.200 MT/s gestartet hatte, will man die Speicherchips mit einer Kapazität von 16 GBit nun auch für DDR5-Speicher einsetzen. Zum Einsatz kommen soll dieser auf Modulen für Server- und Endkunden-Plattformen.
Dabei sollen Transferraten von bis zu 7.200 MT/s erreicht werden – wohl aber nur für Module auf Basis dieses Speichers für die Endkunden-Plattformen, denn für das Server-Segment steht nun zunächst einmal der Wechsel von DDR5-4800 auf DDR5-5600 an. Mit der übernächsten Xeon-Generation soll dann schon DDR5-6400 zum Einsatz kommen. Wie genau die Pläne bei AMD und den EPYC-Prozessoren sind, ist nicht bekannt.
Offenbar ist ASUS einer der Kunden für DDR5 von Micron und setzt diesen in den ASUS- und ROG-Notebooks ein. Ampere Computing scheint gleich den schnellsten DDR5 mit 7.200 MT/s für seine AmpereOne-Plattform zu validieren.
Für die immer höheren Anforderungen an die Kapazität plant Micron zudem den Einsatz der 1β-Fertigung für Chips mit 24 und 32 GBit. Für den LPDDR5X fertigt man sie mit 16 und 24 GBit. Aber auch auf HBM3E und GDDR7 ist der Einsatz der 1β-Chips vorgesehen.
Die Fertigung in 1β (1-beta) ist die modernste bei Micron für DRAM. Dabei verzichtet das Unternehmen jedoch weiterhin auf die Nutzung von EUV. Stattdessen kommt das bewährte Multi Patterning, also eine Mehrfachbelichtung, zum Einsatz. Die zweite Generation der HK Metal Gates (HKMG) wird von Micron ebenfalls eingesetzt.