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Micron hat angekündigt mit der Fertigung von DRAM in einem neuen Fertigungsverfahren namens 1γ (1-gamma) begonnen zu haben. Es handelt sich nach eigenen Angaben um die sechste Generation der Fertigung von DRAM bei Micron und bei 1γ (1-gamma) um eine Fertigung im Bereich von 10 nm. Erstmals kommt eine Belichtung mittels EUV (Extreme Ultra Violet) in der Fertigung zum Einsatz. Noch ohne EUV wird der aktuelle DRAM in 1α (1-alpha) und 1β (1-beta) gefertigt.
Micron hat nun damit begonnen, erste Samples des 16Gb DDR5 DRAM in 1γ auszuliefern. Diese sollen Transferraten von bis zu 9.200 MT/s erreichen und um 15 % schneller als der Vorgänger sein, dabei jedoch 20 % eine geringe Leistungsaufnahme aufweisen. Durch das neue Fertigungsverfahren steigt zudem die Dichte des DRAMs an. Micron spricht von 30 % gegenüber dem Vorgänger.
Micron plant den Einsatz des DRAMs in DDR5 im UDIMM- und SODIMM-Format sowie für fest verlöteten DRAM und LPDDR5X. Eingesetzt werden kann der neue DRAM somit in allerlei Hardware: In Servern in Rechenzentren, im heimischen PC, dem Notebook, aber auch im Automotive- und Edge-Sektor.
Ab wann und in welchen Speicherprodukten man den 1γ-DRAM von Micron zunächst sehen wird, ist nicht bekannt. In der Pressemitteilung kommen vor allem AMD und Intel zu Wort und sprechen hier vom Einsatz zusammen mit den kommenden Server-Prozessoren.
