Der südkoreanische Mischkonzern [url=http://www.samsung.com]Samsung[/url] hat den ersten funktionsfähigen Prototypen eines „Phase-change Random Access Memory"-Moduls (PRAM) präsentiert. Der Prototyp verfügt über eine Speicherkapazität von 512 MBit. Samsung zufolge soll PRAM ab 2008 den heutzutage in mobilen Endgeräten genutzten NOR-Flash-Karten Konkurrenz machen und diese in zehn Jahren komplett ersetzen. Die Kombination der Vorteile von RAM und Flash-Speicher in einem sehr schnellen, nicht flüchtigen Speichermedium soll hierbei den Erfolg der neuen Technik begründen. Gegenüber den älteren Flashkarten hebt Samsung besonders die höhere Geschwindigkeit von PRAM hervor. Durch die Möglichkeit Daten zu überschreiben, ohne diese vorher zu löschen, soll PRAM rund 30-mal schneller als normaler Flash-Speicher sein. Zudem soll die Technik eine rund zehn mal höhere Lebensdauer besitzen.Auch in Bezug auf die Herstellung des Speichers gibt es einiges an Neuerungen. Mit einer Fläche von 0,0467 Quadratmikrometern fallen die Speicherzellen nur halb so groß wie bei NOR-Flash aus. Auch sollen die zur Herstellung notwendigen Prozesschritte um rund 20 Prozent reduziert werden. Ferner preist Samsung eine beinahe beliebige Skalierbarkeit der Speichetechnik an, da Störungen der Zellen untereinander ausgeschlossen seien. Es bleibt zu hoffen, dass sich diese Verbesserungen auch im Preis der Speichertechnik niederschlagen.